IGBT's

AUIRG4BC30 IGBT 600V - 23A TO-252

Infineon Technologies
AUIRG4BC30U-S | ***V1 | ond.K1 | 17032017 |
UITLOPEND NOG 1 STUKS OP VOORRAAD
kg
    Levertijd:voorraad artikel 1-2 werkdagen
Bestel
  • Type: IGBT-transistors 600V UltraFast 8-60kHz
  • Omschrijving: IGBT
  • Polariteit transistor: N-Channel
  • Behuizing: TO-252 D-PAK
  • Vces Collector-emitterspanning : 600V 
  • Vges Gate-emitterspanning :  V
  • Vce(sat) Collector-emitterverzadigingsspanning : 1 V
  • IC Maximale DC collectorstroom: 23A
  • If Maximale Forwardstroom: A 
  • Bedrijftemperatuurbereik: -55 to +150°C
  • fT Versterking Bandbreedte Product :-- MHz
  • Pc vermogensverlies: 100 W
  • Gelijkstroom Collector/Basisversterking hfe Min - Max: --
  • Montagetype: Through Hole

GT30J322 IGBT N-ch 600V - 30A TO-3PML

Toshiba
GT30J322 | BR28 | 23072015 |
kg
    Levertijd:geen voorraad artikel levertijd 2-5 werkdagen
Bestel
  • Omschrijving: IGBT
  • Polariteit transistor: N-Channel
  • Behuizing: TO-3PML
  • Vces Collector-emitterspanning : 600V 
  • Vges Gate-emitterspanning :+/- 20V
  • Vce(sat) Collector-emitterverzadigingsspanning : 2.8V
  • IC Maximale DC collectorstroom: 30A
  • If Maximale Forwardstroom: 30A 
  • Bedrijftemperatuurbereik: -55 to +150°C
  • fT Versterking Bandbreedte Product :-- MHz
  • Pc vermogensverlies: 75 W
  • Gelijkstroom Collector/Basisversterking hfe Min - Max: --
  • Montagetype: Through Hole

GT20D201 IGBT PNP 250V 20A 180W TO-247

Toshiba
GT20D201 ***V1 | ond.K2 | 27082018 |
UITLOPEND NOG 1 STUKS OP VOORRAAD
kg
    Levertijd:voorraad artikel 1-2 werkdagen
Bestel
  • Type: IGBT Insulated Gate Bipolar Transistor 
  • Omschrijving: IGBT
  • Polariteit transistor: P-Channel
  • Behuizing: TO-247
  • Vces Collector-emitterspanning : 250V 
  • Vges Gate-emitterspanning :  20V
  • Vce(sat) Collector-emitterverzadigingsspanning : 3.0V
  • IC Maximale DC collectorstroom: 20A
  • If Maximale Forwardstroom: A 
  • Bedrijftemperatuurbereik: -55 to +150°C
  • fT Versterking Bandbreedte Product :-- MHz
  • Pc vermogensverlies: 180 W
  • Gelijkstroom Collector/Basisversterking hfe Min - Max: --
  • Montagetype: Through Hole

IRG4PC40 IGBT 600V - 40A TO-247

Infineon Technologies
IRG4PC40UDPBF | ***V37 | ond.K2 | 17032017
UITLOPEND NOG 37 STUKS OP VOORRAAD
kg
    Levertijd:voorraad artikel 1-2 werkdagen
Bestel
  • Type: IGBT-transistors 600V UltraFast 8-60kHz
  • Omschrijving: IGBT
  • Polariteit transistor: N-Channel
  • Behuizing: TO-247
  • Vces Collector-emitterspanning : 600V 
  • Vges Gate-emitterspanning :  V
  • Vce(sat) Collector-emitterverzadigingsspanning : 1.2V
  • IC Maximale DC collectorstroom: 40A
  • If Maximale Forwardstroom: 15A 
  • Bedrijftemperatuurbereik: -55 to +150°C
  • fT Versterking Bandbreedte Product :-- MHz
  • Pc vermogensverlies: 160 W
  • Gelijkstroom Collector/Basisversterking hfe Min - Max: --
  • Montagetype: Through Hole

NGTB20N120IHRWG IGBT 1200V - 40A TO-247

ON Semiconductor
NGTB20N120IHRWG | ***V4 | ond.K2 | 17032017
UITLOPEND NOG 4 STUKS OP VOORRAAD
kg
    Levertijd:voorraad artikel 1-2 werkdagen
Bestel
  • Type: IGBT-transistors
  • Omschrijving: IGBT
  • Polariteit transistor: 
  • Behuizing: TO-247
  • Vces Collector-emitterspanning : 1200V 
  • Vges Gate-emitterspanning : 
  • Vce(sat) Collector-emitterverzadigingsspanning : 2.1V
  • IC Maximale DC collectorstroom: 40A
  • If Maximale Forwardstroom: A 
  • Bedrijftemperatuurbereik: -55 to +175°C
  • fT Versterking Bandbreedte Product :-- MHz
  • Pc vermogensverlies: 384W
  • Gelijkstroom Collector/Basisversterking hfe Min - Max: --
  • Montagetype: Through Hole