uitlopend nog 2 stuks op voorraad
- Type: Silicon P-Channel MOS FET
- Polariteit transistor: P-Channel
- Behuizing: TO-3
- Vds doorslagspanning : 160 V
- Vgs doorslagspanning :14 V
- Vdg doorslagspanning: V
- ID continue afvoerstroom: 7 A
- Ig Gate stroom: mA
- Pd vermogenverlies: 100W
- Bedrijftemperatuurbereik: -55 to +150°C
- Montagetype: Through Hole