2SK... | FET's

2SK1190 FET N-ch 60V 22A TO-220F

Sanken
2SK1190 | ***V1 | 20032017
kg
    Levertijd:voorraad artikel 1-2 werkdagen
Bestel
to220ffff


  • Type: Silicon N-Channel  FET
  • Polariteit FET: N-Channel
  • Behuizing: TO-220F
  • Vds doorslagspanning : 60 V 
  • Vgs doorslagspanning : 20 V
  • Vdg doorslagspanning:  V 
  • ID continue afvoerstroom: 22A
  • Ig Gate stroom:   mA 
  • Pd vermogenverlies: 35W 
  • Bedrijftemperatuurbereik: -55 to +150°C
  • Montagetype: Through Hole

2SK1221 FET N-ch 250V 10A TO-220

Fuji
2SK1221 | ***V2 | 20032017
UITLOPEND NOG 2 STUKS OP VOORRAAD
kg
    Levertijd:voorraad artikel 1-2 werkdagen
Bestel

 

  • Type: Silicon N-Channel  FET
  • Polariteit FET: N-Channel
  • Behuizing: TO-220
  • Vds doorslagspanning : 250 V 
  • Vgs doorslagspanning : 30 V
  • Vdg doorslagspanning:  V 
  • ID continue afvoerstroom: 10A
  • Ig Gate stroom:   mA 
  • Pd vermogenverlies: 80W 
  • Bedrijftemperatuurbereik: -45 to +150°C
  • Montagetype: Through Hole

2SK1358 FET N-ch 900V 9A TO-3p

Unbranded
2SK1358 | ***V5 | 20032017
UITLOPEND NOG 5 STUKS OP VOORRAAD
kg
    Levertijd:voorraad artikel 1-2 werkdagen
Bestel
to3p

 

  • Type: Silicon N-Channel  FET
  • Polariteit FET: N-Channel
  • Behuizing: TO-3p
  • Vds doorslagspanning : 900 V 
  • Vgs doorslagspanning :  30 V
  • Vdg doorslagspanning:  V 
  • ID continue afvoerstroom: 9A
  • Ig Gate stroom:   mA 
  • Pd vermogenverlies: 150W 
  • Bedrijftemperatuurbereik: -55 to +150°C
  • Montagetype: Through Hole

2SK1377 FET N-ch 400V 5.5A TO-220F

Unbranded
2SK1377 20032017
---
kg
    Levertijd:voorraad artikel 1-2 werkdagen
Bestel
to220ffff

 

  • Type: Silicon N-Channel  FET
  • Polariteit FET: N-Channel
  • Behuizing: TO-220F
  • Vds doorslagspanning : 400 V 
  • Vgs doorslagspanning : 30 V
  • Vdg doorslagspanning:  V 
  • ID continue afvoerstroom: 5.5A
  • Ig Gate stroom:   mA 
  • Pd vermogenverlies: 40W 
  • Bedrijftemperatuurbereik: -55 to +150°C
  • Montagetype: Through Hole

2SK1419 FET N-ch 60V 15A TO-220F

Sanyo
2SK1419 ***V2 20032017
---
kg
    Levertijd:voorraad artikel 1-2 werkdagen
Bestel
to220ffff

uitlopend nog 2 stuks op voorraad

  • Type: Silicon N-Channel  FET
  • Polariteit FET: N-Channel
  • Behuizing: TO-220F
  • Vds doorslagspanning : 60 V 
  • Vgs doorslagspanning : 30 V
  • Vdg doorslagspanning:  V 
  • ID continue afvoerstroom: 15A
  • Ig Gate stroom:   mA 
  • Pd vermogenverlies: 25W 
  • Bedrijftemperatuurbereik: -55 to +150°C
  • Montagetype: Through Hole

2SK1420 FET N-ch 60V 25A TO-220F

Sanyo
2SK1420 /ond.K1 21032017
---
kg
    Levertijd:voorraad artikel 1-2 werkdagen
Bestel
to220ffff

 

  • Type: Silicon N-Channel  FET
  • Polariteit FET: N-Channel
  • Behuizing: TO-220F
  • Vds doorslagspanning : 60 V 
  • Vgs doorslagspanning : 20 V
  • Vdg doorslagspanning:  V 
  • ID continue afvoerstroom: 25A
  • Ig Gate stroom:   mA 
  • Pd vermogenverlies: 30W 
  • Bedrijftemperatuurbereik: -55 to +150°C
  • Montagetype: Through Hole

2SK1460 FET N-ch 900V 3.5A TO-220F

Sanyo
2SK1460 | 20032017
kg
    Levertijd:voorraad artikel 1-2 werkdagen
Bestel
to220ffff

 

  • Type: Silicon N-Channel  FET
  • Polariteit FET: N-Channel
  • Behuizing: TO-220F
  • Vds doorslagspanning : 900 V 
  • Vgs doorslagspanning : 30 V
  • Vdg doorslagspanning:  V 
  • ID continue afvoerstroom: 3.5A
  • Ig Gate stroom:   mA 
  • Pd vermogenverlies: 40W 
  • Bedrijftemperatuurbereik: -55 to +150°C
  • Montagetype: Through Hole

2SK1507 FET N-ch 600V 9A TO-220F

Fuji
2SK1507 20032017
---
kg
    Levertijd:voorraad artikel 1-2 werkdagen
Bestel
to220ffff

 

  • Type: Silicon N-Channel  FET
  • Polariteit FET: N-Channel
  • Behuizing: TO-220F
  • Vds doorslagspanning : 600 V 
  • Vgs doorslagspanning : 5 V
  • Vdg doorslagspanning:  V 
  • ID continue afvoerstroom: 9A
  • Ig Gate stroom:   mA 
  • Pd vermogenverlies: 50W 
  • Bedrijftemperatuurbereik: -55 to +150°C
  • Montagetype: Through Hole

2SK1529 FET N-ch 180V 10A TO-3p

Toshiba
2SK1529 /ond.K1 ***V1 21032017
---
kg
    Levertijd:voorraad artikel 1-2 werkdagen
Bestel
to3p

uitlopend nog 1 stuks op voorraad

  • Type: Silicon N-Channel  FET
  • Polariteit FET: N-Channel
  • Behuizing: TO-3p
  • Vds doorslagspanning : 180 V 
  • Vgs doorslagspanning :  20 V
  • Vdg doorslagspanning:  V 
  • ID continue afvoerstroom: 10A
  • Ig Gate stroom:   mA 
  • Pd vermogenverlies: 120W 
  • Bedrijftemperatuurbereik: -55 to +150°C
  • Montagetype: Through Hole

2SK1794 FET N-ch 900V 6A TO-3p

NEC
2SK1794 ***V3 20032017
---
kg
    Levertijd:voorraad artikel 1-2 werkdagen
Bestel
to3p

uitlopend nog 3 stuks op voorraad

  • Type: Silicon N-Channel  FET
  • Polariteit FET: N-Channel
  • Behuizing: TO-3p
  • Vds doorslagspanning : 900 V 
  • Vgs doorslagspanning :  30 V
  • Vdg doorslagspanning:  V 
  • ID continue afvoerstroom: 6A
  • Ig Gate stroom:   mA 
  • Pd vermogenverlies: 100W 
  • Bedrijftemperatuurbereik: -55 to +150°C
  • Montagetype: Through Hole

2SK1940 FET N-ch 600V 12A TO-3p

Fuji
2SK1940 /ond.K1 ***V15 21032017
---
kg
    Levertijd:voorraad artikel 1-2 werkdagen
Bestel
to3p

uitlopend nog 15 stuks op voorraad

  • Type: Silicon N-Channel  FET
  • Polariteit FET: N-Channel
  • Behuizing: TO-3p
  • Vds doorslagspanning : 600 V 
  • Vgs doorslagspanning :  30 V
  • Vdg doorslagspanning:  V 
  • ID continue afvoerstroom: 12A
  • Ig Gate stroom:   mA 
  • Pd vermogenverlies: 125W 
  • Bedrijftemperatuurbereik: -55 to +150°C
  • Montagetype: Through Hole

2SK1941 FET N-ch 600V 16A TO-3p

Fuji
2SK1941 /ond.K1 ***V1 21032017
---
kg
    Levertijd:voorraad artikel 1-2 werkdagen
Bestel
to3p

uitlopend nog 1 stuks op voorraad

  • Type: Silicon N-Channel  FET
  • Polariteit FET: N-Channel
  • Behuizing: TO-3p
  • Vds doorslagspanning : 600 V 
  • Vgs doorslagspanning :  30 V
  • Vdg doorslagspanning:  V 
  • ID continue afvoerstroom: 16A
  • Ig Gate stroom:   mA 
  • Pd vermogenverlies: 100W 
  • Bedrijftemperatuurbereik: -55 to +150°C
  • Montagetype: Through Hole

2SK2038 FET N-ch 800V 5A TO-3p

Unbranded
2SK2038 ***V3 20032017
---
kg
    Levertijd:voorraad artikel 1-2 werkdagen
Bestel
to3p

uitlopend nog 3 stuks op voorraad

  • Type: Silicon N-Channel  FET
  • Polariteit FET: N-Channel
  • Behuizing: TO-3p
  • Vds doorslagspanning : 800 V 
  • Vgs doorslagspanning :  30 V
  • Vdg doorslagspanning:  V 
  • ID continue afvoerstroom: 5A
  • Ig Gate stroom:   mA 
  • Pd vermogenverlies: 125W 
  • Bedrijftemperatuurbereik: -55 to +150°C
  • Montagetype: Through Hole

2SK2078 FET N-ch 800V 9A TO-3p

Toshiba
2SK2078 ***V1 20032017
---
kg
    Levertijd:voorraad artikel 1-2 werkdagen
Bestel
to3p

uitlopend nog 1 stuks op voorraad

  • Type: Silicon N-Channel  FET
  • Polariteit FET: N-Channel
  • Behuizing: TO-3p
  • Vds doorslagspanning : 800 V 
  • Vgs doorslagspanning :  30 V
  • Vdg doorslagspanning:  V 
  • ID continue afvoerstroom: 9A
  • Ig Gate stroom:   mA 
  • Pd vermogenverlies: 150W 
  • Bedrijftemperatuurbereik: -55 to +150°C
  • Montagetype: Through Hole

2SK2141 FET N-ch 600V 6A TO-220F

Nec
2SK2141 /ond.K1 21032017
---
kg
    Levertijd:voorraad artikel 1-2 werkdagen
Bestel
to220ffff

 

  • Type: Silicon N-Channel  FET
  • Polariteit FET: N-Channel
  • Behuizing: TO-220F
  • Vds doorslagspanning : 600 V 
  • Vgs doorslagspanning : 30 V
  • Vdg doorslagspanning:  V 
  • ID continue afvoerstroom: 6A
  • Ig Gate stroom:   mA 
  • Pd vermogenverlies: 35W 
  • Bedrijftemperatuurbereik: -55 to +150°C
  • Montagetype: Through Hole

2SK2148 FET N-ch 600V 12A TO-3p

Fuji
2SK2148 /ond.K1 ***V2 21032017
---
kg
    Levertijd:voorraad artikel 1-2 werkdagen
Bestel
to3p

uitlopend nog 2 stuks op voorraad

  • Type: Silicon N-Channel  FET
  • Polariteit FET: N-Channel
  • Behuizing: TO-3p
  • Vds doorslagspanning : 600 V 
  • Vgs doorslagspanning :  30 V
  • Vdg doorslagspanning:  V 
  • ID continue afvoerstroom: 12A
  • Ig Gate stroom:   mA 
  • Pd vermogenverlies: 80W 
  • Bedrijftemperatuurbereik: -55 to +150°C
  • Montagetype: Through Hole

2SK2232 FET N-ch 60V 25A TO-220F

Toshiba
2SK22232 /ond.K1 ***V5 21032017
---
kg
    Levertijd:voorraad artikel 1-2 werkdagen
Bestel
to220ffff

uitlopend nog 5 stuks op voorraad

  • Type: Silicon N-Channel  FET
  • Polariteit FET: N-Channel
  • Behuizing: TO-220F
  • Vds doorslagspanning : 60 V 
  • Vgs doorslagspanning : 20 V
  • Vdg doorslagspanning:  V 
  • ID continue afvoerstroom: 25A
  • Ig Gate stroom:   mA 
  • Pd vermogenverlies: 35W 
  • Bedrijftemperatuurbereik: -55 to +150°C
  • Montagetype: Through Hole

2SK2545 FET N-ch 600V 6A TO-220F

Toshiba
2SK22232 /ond.K1 21032017
---
kg
    Levertijd:voorraad artikel 1-2 werkdagen
Bestel
to220ffff

 

  • Type: Silicon N-Channel  FET
  • Polariteit FET: N-Channel
  • Behuizing: TO-220F
  • Vds doorslagspanning : 600 V 
  • Vgs doorslagspanning : 30 V
  • Vdg doorslagspanning:  V 
  • ID continue afvoerstroom: 6A
  • Ig Gate stroom:   mA 
  • Pd vermogenverlies: 40W 
  • Bedrijftemperatuurbereik: -55 to +150°C
  • Montagetype: Through Hole

2SK2605 FET N-ch 800V 5A TO-220F

Toshiba
2SK2605 /ond.K1 21032017
---
kg
    Levertijd:voorraad artikel 1-2 werkdagen
Bestel
to220ffff

 

  • Type: Silicon N-Channel  FET
  • Polariteit FET: N-Channel
  • Behuizing: TO-220F
  • Vds doorslagspanning : 800 V 
  • Vgs doorslagspanning : 30 V
  • Vdg doorslagspanning:  V 
  • ID continue afvoerstroom: 5A
  • Ig Gate stroom:   mA 
  • Pd vermogenverlies: 45W 
  • Bedrijftemperatuurbereik: -55 to +150°C
  • Montagetype: Through Hole

2SK2610 FET N-ch 900V 5A TO-3p

Toshiba
2SK2610 | 20032017
kg
    Levertijd:geen voorraad artikel info levertijd > info@brigatti.nl
Bestel
to3p


  • Type: Silicon N-Channel  FET
  • Polariteit FET: N-Channel
  • Behuizing: TO-3p
  • Vds doorslagspanning : 800 V 
  • Vgs doorslagspanning :  30 V
  • Vdg doorslagspanning:  V 
  • ID continue afvoerstroom: 5A
  • Ig Gate stroom:   mA 
  • Pd vermogenverlies: 150W 
  • Bedrijftemperatuurbereik: -55 to +150°C
  • Montagetype: Through Hole

2SK2645 FET N-ch 600V 9A TO-220F

Fuji
2SK2645 /ond.K1 21032017
---
kg
    Levertijd:voorraad artikel 1-2 werkdagen
Bestel
to220ffff

 

  • Type: Silicon N-Channel  FET
  • Polariteit FET: N-Channel
  • Behuizing: TO-220F
  • Vds doorslagspanning : 600 V 
  • Vgs doorslagspanning : 30 V
  • Vdg doorslagspanning:  V 
  • ID continue afvoerstroom: 9A
  • Ig Gate stroom:   mA 
  • Pd vermogenverlies: 50W 
  • Bedrijftemperatuurbereik: -55 to +150°C
  • Montagetype: Through Hole

2SK2700 FET N-ch 900V 3A TO-220F

Toshiba
2SK2700 /ond.K1 21032017
---
kg
    Levertijd:voorraad artikel 1-2 werkdagen
Bestel
to220ffff

 

  • Type: Silicon N-Channel  FET
  • Polariteit FET: N-Channel
  • Behuizing: TO-220F
  • Vds doorslagspanning : 900 V 
  • Vgs doorslagspanning : 30 V
  • Vdg doorslagspanning:  V 
  • ID continue afvoerstroom: 3A
  • Ig Gate stroom:   mA 
  • Pd vermogenverlies: 40W 
  • Bedrijftemperatuurbereik: -55 to +150°C
  • Montagetype: Through Hole

2SK2717 FET N-ch 900V 5A TO-220F

Toshiba
2SK2717 /ond.K1 ***V1 21032017
---
kg
    Levertijd:voorraad artikel 1-2 werkdagen
Bestel
to220ffff

uitlopend nog 1 stuks op voorraad

  • Type: Silicon N-Channel  FET
  • Polariteit FET: N-Channel
  • Behuizing: TO-220F
  • Vds doorslagspanning : 900 V 
  • Vgs doorslagspanning : 30 V
  • Vdg doorslagspanning:  V 
  • ID continue afvoerstroom: 5A
  • Ig Gate stroom:   mA 
  • Pd vermogenverlies: 45W 
  • Bedrijftemperatuurbereik: -55 to +150°C
  • Montagetype: Through Hole

2SK2750 FET N-ch 600V 3.5A TO-220F

Toshiba
2SK2750 /ond.K1 21032017
---
kg
    Levertijd:voorraad artikel 1-2 werkdagen
Bestel
to220ffff

 

  • Type: Silicon N-Channel  FET
  • Polariteit FET: N-Channel
  • Behuizing: TO-220F
  • Vds doorslagspanning : 600 V 
  • Vgs doorslagspanning : 30 V
  • Vdg doorslagspanning:  V 
  • ID continue afvoerstroom: 3.5A
  • Ig Gate stroom:   mA 
  • Pd vermogenverlies: 35W 
  • Bedrijftemperatuurbereik: -55 to +150°C
  • Montagetype: Through Hole

2SK2843 FET N-ch 600V 10A TO-220F

Toshiba
2SK2843 /ond.K1 21032017
---
kg
    Levertijd:voorraad artikel 1-2 werkdagen
Bestel
to220ffff

 

  • Type: Silicon N-Channel  FET
  • Polariteit FET: N-Channel
  • Behuizing: TO-220F
  • Vds doorslagspanning : 600 V 
  • Vgs doorslagspanning : 30 V
  • Vdg doorslagspanning:  V 
  • ID continue afvoerstroom: 10A
  • Ig Gate stroom:   mA 
  • Pd vermogenverlies: 45W 
  • Bedrijftemperatuurbereik: -55 to +150°C
  • Montagetype: Through Hole