0
0
Home
>
Componenten | Elektronica
>
Componenten
>
Actieve | Componenten
>
Transistoren FET Triac Thyristor Diac IGBT
>
FET's
>
2N... | FET's
2N... | FET's
2N... | FET's
2N3819 JFET N-ch 25V 10mA TO-92
Central Semiconductor
2N3819 | ***V29 | 20012015
30418
kg
Levertijd:
voorraad artikel 1-2 werkdagen
Bestel
Omschrijving: Transistors, RF JFET
Polariteit transistor: N-Channel
Behuizing: TO-92
Vds doorslagspanning : 25 V
Vgs doorslagspanning :40 V
Vdg doorslagspanning: 25 V
ID continue afvoerstroom: 20 mA
Ig Gate stroom: 10 mA
Pd vermogenverlies: 360 mW
Bedrijftemperatuurbereik: -65 to +150°C
Versterking Bandbreedte Product fT
: -
Montagetype
:
Through Hole
2N4092 JFET N-ch 40V 50mA TO-18
Philips
2N4092 | ***V200 | ond.K1 | 14072021
kg
Levertijd:
voorraad artikel 1-2 werkdagen
Bestel
Omschrijving: Transistors, JFET
Polariteit transistor: N-Channel
Behuizing: TO-18
Vds doorslagspanning : -10 V
Vgs doorslagspanning :-40 V
Vdg doorslagspanning: - 7 V
IDss continue afvoerstroom: 75 mA
Ig Gate stroom: 50 mA
Pd vermogenverlies: 300 mW
Bedrijftemperatuurbereik: -65 to +150°C
Versterking Bandbreedte Product fT
: -
Montagetype
:
Through Hole
2N4393 JFET N-ch 40V TO-18
Vishay
2N4393 | ***V27 | 20012015
kg
Levertijd:
voorraad artikel 1-2 werkdagen
Bestel
Omschrijving: Transistors, JFET
Polariteit transistor: N-Channel
Behuizing: TO-18
Vds doorslagspanning : -3 V
Vgs doorslagspanning :-40 V
Vdg doorslagspanning: - 15 V
IDss continue afvoerstroom: 30 mA
Ig Gate stroom: 10 mA
Pd vermogenverlies: 1.8 W
Bedrijftemperatuurbereik: -65 to +200°C
Versterking Bandbreedte Product fT
: -
Montagetype
:
Through Hole
2N6027 Uni-Junction Transistor 40V TO-92
Central Semiconductor
2N6027 | 22012015
kg
Levertijd:
geen voorraad artikel levertijd 3-4 werkdagen
Bestel
Omschrijving: Transistors, Uni-Junction
Polariteit transistor:--
Behuizing: TO-92
Vdrm
: 40V
Max gate pieksperspanning :5 V
Igt stroom voor ingangstrigger : 50 mA
eenmalige doorlaatstroom: 5 A
Montagetype
:
Through Hole
2N6661 mosFET N-ch 90V TO-39
Unbranded
2N6661 | ond.k1-1 | ***V5 | 24012015
kg
Levertijd:
voorraad artikel 1-2 werkdagen
Bestel
Omschrijving: MOSFET, Silicon
Polariteit transistor: N-channel
Behuizing: TO-39
Vds doorslagspanning : 90 V
Vgs doorslagspanning : 20V
Vdg doorslagspanning: - V
ID continue afvoerstroom: 1.5 A
Ig Gate stroom: 10 mA
Pd vermogenverlies: 6.25W
Bedrijftemperatuurbereik: -55 to +150°C
Versterking Bandbreedte Product fT
: -
Montagetype
:
Through Hole
2N7000 JFET N-ch 60V TO-92
Diotec
2N7000 | 22012015
kg
Levertijd:
voorraad artikel 1-2 werkdagen
Bestel
Omschrijving: Transistors, JFET
Polariteit transistor: N-Channel
Behuizing: TO-92
Vds doorslagspanning : 60 V
Vgs doorslagspanning : 20 V
ID continue afvoerstroom: 200 mA
Vdg doorslagspanning: - V
IDss continue afvoerstroom: - mA
Ig Gate stroom: -
Pd vermogenverlies: 400 mW
Bedrijftemperatuurbereik: -65 to +150°C
Versterking Bandbreedte Product fT
: -
Montagetype
:
Through Hole
!
update: 3 oktober 2024
Brigatti Electronics Copyright © 1994-2024
Mobiele weergave
Webwinkel gemaakt met ShopFactory webwinkel software.
0
Nederlands (Dutch)