BF... | FET's

BF244C FET N-ch 30V 50mA 350mW TO92

Fairchild Semiconductor
BF244C | ***V1 |12072017
UITLOPEND NOG 1 STUKS OP VOORRAAD
kg
    Levertijd:voorraad artikel 1-2 werkdagen
Bestel


  • Type: N-Channel FET
  • Polariteit transistor: N-Channel
  • Behuizing: TO-92
  • Vds doorslagspanning : 30 V 
  • Vgs doorslagspanning :7.5 V
  • Vdg doorslagspanning: 30 V 
  • ID continue afvoerstroom: 50 mA
  • Ig Gate stroom:
  • Pd vermogenverlies: 350mW 
  • Bedrijfs temperatuurbereik: -55 to +150°C
  • Versterking Bandbreedte Product fT: -
  • Recovery time Trr:   ns
  • Closing resistance Rds(on):  
  • Montagetype: Through Hole

BF246C FET N-ch 25V 250mA 400mW TO92

Philips
BF246C | 12072017
kg
    Levertijd:geen voorraad artikel info levertijd > info@brigatti.nl
Bestel

 

  • Type: N-Channel FET
  • Polariteit transistor: N-Channel
  • Behuizing: TO-92
  • Vds doorslagspanning : 25 V 
  • Vgs doorslagspanning : 12 V
  • Vdg doorslagspanning: 25 V 
  • ID continue afvoerstroom: 250 mA
  • Ig Gate stroom:
  • Pd vermogenverlies: 400mW 
  • Bedrijfs temperatuurbereik: -55 to +150°C
  • Versterking Bandbreedte Product fT: -
  • Recovery time Trr:   ns
  • Closing resistance Rds(on):  
  • Montagetype: Through Hole

BF256C FET N-ch 30V 100mA 350mW TO92

Fairchild Semiconductor
BF256C | 12072017
kg
    Levertijd:voorraad artikel 1-2 werkdagen
Bestel

 

  • Type: N-Channel FET
  • Polariteit transistor: N-Channel
  • Behuizing: TO-92
  • Vds doorslagspanning : 30 V 
  • Vgs doorslagspanning : -30 V
  • Vdg doorslagspanning: 30 V 
  • ID continue afvoerstroom: 100 mA
  • IDss Zero Gate Voltage Drain Current min - max : 11 - 18 mA  
  • Ig Gate stroom:
  • Pd vermogenverlies: 350mW 
  • Bedrijfs temperatuurbereik: -55 to +150°C
  • Versterking Bandbreedte Product fT: -
  • Recovery time Trr:   ns
  • Closing resistance Rds(on):  
  • Montagetype: Through Hole

BF410 FET N-ch 20V 30mA 300mW TO92

Philips
BF410 | ***V11 | 13072017
UITLOPEND NOG 11 STUKS OP VOORRAAD
kg
    Levertijd:voorraad artikel 1-2 werkdagen
Bestel


  • Type: N-Channel FET
  • Polariteit transistor: N-Channel
  • Behuizing: TO-92
  • Vds doorslagspanning : 20 V 
  • Vgs doorslagspanning :  V
  • Vdg doorslagspanning: 20 V 
  • ID continue afvoerstroom: 30 mA
  • IDss Zero Gate Voltage Drain Current min - max : 
  • Ig Gate stroom:
  • Pd vermogenverlies: 300mW 
  • Bedrijfs temperatuurbereik: -55 to +150°C
  • Versterking Bandbreedte Product fT: -
  • Recovery time Trr:   ns
  • Closing resistance Rds(on):  
  • Montagetype: Through Hole

BF900 FET N-ch 20V 50mA SOT-103

Unbranded
BF900 | ***V1 | 20032018
UITLOPEND NOG 1 STUKS OP VOORRAAD
kg
    Levertijd:voorraad artikel 1-2 werkdagen
Bestel


  • Type: N-Channel FET
  • Polariteit transistor: N-Channel
  • Behuizing: SOT-103 TO-50-4
  • Vds doorslagspanning : 20 V 
  • Vgs doorslagspanning : -- V
  • Vdg doorslagspanning: -- V 
  • ID continue afvoerstroom: 50 mA
  • Ig Gate stroom:
  • Pd vermogenverlies: mW 
  • Bedrijfs temperatuurbereik: -55 to +150°C
  • Versterking Bandbreedte Product fT: -
  • Recovery time Trr:   ns
  • Closing resistance Rds(on):  
  • Montagetype: Through Hole

BF961 FET N-ch 20V 30mA 200mW SOT-103

Unbranded
BF961 | ***V2 | 20032018
UITLOPEND NOG 2 STUKS OP VOORRAAD
kg
    Levertijd:voorraad artikel 1-2 werkdagen
Bestel


  • Type: N-Channel FET
  • Polariteit transistor: N-Channel
  • Behuizing: SOT-103 TO-50-4
  • Vds doorslagspanning : 20 V 
  • Vgs doorslagspanning : -- V
  • Vdg doorslagspanning: -- V 
  • ID continue afvoerstroom: 30 mA
  • Ig Gate stroom:
  • Pd vermogenverlies: 200 mW 
  • Bedrijfs temperatuurbereik: -55 to +150°C
  • Versterking Bandbreedte Product fT: -
  • Recovery time Trr:   ns
  • Closing resistance Rds(on):  
  • Montagetype: Through Hole

BF966 FET N-ch 20V 30mA 225mW SOT-103

Vishay
BF966 | ***V4 | 20032018
UITLOPEND NOG 4 STUKS OP VOORRAAD
kg
    Levertijd:voorraad artikel 1-2 werkdagen
Bestel


  • Type: N-Channel FET
  • Polariteit transistor: N-Channel
  • Behuizing: SOT-103 TO-50-4
  • Vds doorslagspanning : 20 V 
  • Vgs doorslagspanning : -- V
  • Vdg doorslagspanning: -- V 
  • ID continue afvoerstroom: 30 mA
  • Ig Gate stroom:
  • Pd vermogenverlies: 225 mW 
  • Bedrijfs temperatuurbereik: -55 to +150°C
  • Versterking Bandbreedte Product fT: -
  • Recovery time Trr:   ns
  • Closing resistance Rds(on):  
  • Montagetype: Through Hole

BF980 FET N-ch 18V 30mA 225mW SOT-103

Unbranded
BF980 ***V1 20032018
UITLOPEND NOG 1 STUKS OP VOORRAAD
kg
    Levertijd:voorraad artikel 1-2 werkdagen
Bestel


  • Type: N-Channel FET
  • Polariteit transistor: N-Channel
  • Behuizing: SOT-103 TO-50-4
  • Vds doorslagspanning : 18 V 
  • Vgs doorslagspanning : -- V
  • Vdg doorslagspanning: -- V 
  • ID continue afvoerstroom: 30 mA
  • Ig Gate stroom:
  • Pd vermogenverlies: 225 mW 
  • Bedrijfs temperatuurbereik: -55 to +150°C
  • Versterking Bandbreedte Product fT: -
  • Recovery time Trr:   ns
  • Closing resistance Rds(on):  
  • Montagetype: Through Hole