Deze pagina is under construction

-
Er worden nog meer triac's toegevoegd.

FCP4N60 MOSFET N-ch 600V 3.9A TO-220

Fairchild Semiconductor
FCP4N60 /ond.k2 28062017
-
    Levertijd:1-2 werkdagen
Bestel
  • Type: Power MOSFET
  • Polariteit transistor: N-Channel
  • Behuizing: TO-220-3
  • Vds doorslagspanning : 600 V 
  • Vgs doorslagspanning : 30 V
  • Vdg doorslagspanning: -- V 
  • ID continue afvoerstroom: 3.9 A
  • Ig Gate stroom:  nA 
  • Pd vermogenverlies: 50W 
  • Bedrijfs temperatuurbereik: -55 to +150°C
  • Versterking Bandbreedte Product fT: -
  • Recovery time Trr:  ns
  • Closing resistance Rds(on): 1.0 Ohm
  • Montagetype: Through Hole

FQP30N06L MOSFET N-ch 60V 32A TO-220

Fairchild Semiconductor
FQP30N06L /ond.k2 29062017
-
    Levertijd:1-2 werkdagen
Bestel
  • Type: Power MOSFET
  • Polariteit transistor: N-Channel
  • Behuizing: TO-220-3
  • Vds doorslagspanning : 60 V 
  • Vgs doorslagspanning : 20 V
  • Vdg doorslagspanning: -- V 
  • ID continue afvoerstroom: 32 A
  • Ig Gate stroom:  nA 
  • Pd vermogenverlies: 79W 
  • Bedrijfs temperatuurbereik: -55 to +150°C
  • Versterking Bandbreedte Product fT: -
  • Recovery time Trr:  ns
  • Closing resistance Rds(on):  Ohm
  • Montagetype: Through Hole

FQP50N06 MOSFET N-ch 60V 50A TO-220

Fairchild Semiconductor
FQP50N06 /ond.k2 30062017
-
    Levertijd:1-2 werkdagen
Bestel
  • Type: Power MOSFET
  • Polariteit transistor: N-Channel
  • Behuizing: TO-220-3
  • Vds doorslagspanning : 60 V 
  • Vgs doorslagspanning : 25 V
  • Vdg doorslagspanning: -- V 
  • ID continue afvoerstroom: 50 A
  • Ig Gate stroom:  nA 
  • Pd vermogenverlies: 120W 
  • Bedrijfs temperatuurbereik: -55 to +175°C
  • Versterking Bandbreedte Product fT: -
  • Recovery time Trr:  ns
  • Closing resistance Rds(on): 22 mOhm
  • Montagetype: Through Hole

RFP50N06 MOSFET N-ch 60V 50A TO-220

Fairchild Semiconductor
RFP50N06 /ond.k2 28062017
-
    Levertijd:1-2 werkdagen
Bestel
  • Type: Power MOSFET
  • Polariteit transistor: N-Channel
  • Behuizing: TO-220-3
  • Vds doorslagspanning : 60 V 
  • Vgs doorslagspanning : 20 V
  • Vdg doorslagspanning: -- V 
  • ID continue afvoerstroom: 50 A
  • Ig Gate stroom:  nA 
  • Pd vermogenverlies: 131W 
  • Bedrijfs temperatuurbereik: -55 to +175°C
  • Versterking Bandbreedte Product fT: -
  • Recovery time Trr:  ns
  • Closing resistance Rds(on): 22 mOhm
  • Montagetype: Through Hole

RFP70N06 MOSFET N-ch 60V 70A TO-220

Fairchild Semiconductor
RFP70N06 /ond.k2 30062017
-
    Levertijd:1-2 werkdagen
Bestel
  • Type: Power MOSFET
  • Polariteit transistor: N-Channel
  • Behuizing: TO-220-3
  • Vds doorslagspanning : 60 V 
  • Vgs doorslagspanning : 20 V
  • Vdg doorslagspanning: -- V 
  • ID continue afvoerstroom: 70 A
  • Ig Gate stroom:  nA 
  • Pd vermogenverlies: 150W 
  • Bedrijfs temperatuurbereik: -55 to +175°C
  • Versterking Bandbreedte Product fT: -
  • Recovery time Trr:  ns
  • Closing resistance Rds(on): 14 mOhm
  • Montagetype: Through Hole

SPP20N60C3 MOSFET N-ch 650V 20.7A TO-220

Infineon Technologies
SPP20N60C3 /ond.k2 29062017
-
    Levertijd:1-2 werkdagen
Bestel
  • Type: Power MOSFET
  • Polariteit transistor: N-Channel
  • Behuizing: TO-220
  • Vds doorslagspanning : 600 V 
  • Vgs doorslagspanning :20 V
  • Vdg doorslagspanning: -- V 
  • ID continue afvoerstroom: 20.7 A
  • Ig Gate stroom:  nA 
  • Pd vermogenverlies: 208W 
  • Bedrijfs temperatuurbereik: -55 to +150°C
  • Versterking Bandbreedte Product fT: -
  • Recovery time Trr: ns
  • Closing resistance Rds(on): 190 mOhm
  • Montagetype: Through Hole

SSS7N60B MOSFET N-ch 600V 7A TO-220

Fairchild Semiconductor
SSS7N60B /ond.k2 30062017
-
    Levertijd:1-2 werkdagen
Bestel
  • Type: Power MOSFET
  • Polariteit transistor: N-Channel
  • Behuizing: TO-220-3
  • Vds doorslagspanning : 600 V 
  • Vgs doorslagspanning : 30 V
  • Vdg doorslagspanning: -- V 
  • ID continue afvoerstroom: 7 A
  • Ig Gate stroom:  nA 
  • Pd vermogenverlies: 48W 
  • Bedrijfs temperatuurbereik: -55 to +175°C
  • Versterking Bandbreedte Product fT: -
  • Recovery time Trr:  ns
  • Closing resistance Rds(on): 1 Ohm
  • Montagetype: Through Hole

STP3NB60 MOSFET N-ch 600V 3.3A TO-220

STMicroelectronics
STP3NB60 /ond.k2 28062017
-
    Levertijd:1-2 werkdagen
Bestel
  • Type: Power MOSFET
  • Polariteit transistor: N-Channel
  • Behuizing: TO-220-3
  • Vds doorslagspanning : 600 V 
  • Vgs doorslagspanning : 30 V
  • Vdg doorslagspanning: -- V 
  • ID continue afvoerstroom: 3.3 A
  • Ig Gate stroom:  nA 
  • Pd vermogenverlies: 80W 
  • Bedrijfs temperatuurbereik: -55 to +175°C
  • Versterking Bandbreedte Product fT: -
  • Recovery time Trr:  ns
  • Closing resistance Rds(on): 3.6 Ohm
  • Montagetype: Through Hole

STP3NK60Z MOSFET N-ch 600V 2.4A TO-220

STMicroelectronics
STP3NK60Z /ond.k2 28062017
-
    Levertijd:1-2 werkdagen
Bestel
  • Type: Power MOSFET
  • Polariteit transistor: N-Channel
  • Behuizing: TO-220-3
  • Vds doorslagspanning : 600 V 
  • Vgs doorslagspanning : 30 V
  • Vdg doorslagspanning: -- V 
  • ID continue afvoerstroom: 2.4 A
  • Ig Gate stroom:  nA 
  • Pd vermogenverlies: 45W 
  • Bedrijfs temperatuurbereik: -55 to +175°C
  • Versterking Bandbreedte Product fT: -
  • Recovery time Trr:  ns
  • Closing resistance Rds(on): 3.6 Ohm
  • Montagetype: Through Hole

STP3NK60ZFP MOSFET N-ch 600V 2.4A TO-220FP

STMicroelectronics
STP3NK60ZFP /ond.k2 28062017
-
    Levertijd:1-2 werkdagen
Bestel
  • Type: Power MOSFET
  • Polariteit transistor: N-Channel
  • Behuizing: TO-220-FP-3
  • Vds doorslagspanning : 600 V 
  • Vgs doorslagspanning : 30 V
  • Vdg doorslagspanning: -- V 
  • ID continue afvoerstroom: 2.4 A
  • Ig Gate stroom:  nA 
  • Pd vermogenverlies: 20W 
  • Bedrijfs temperatuurbereik: -55 to +175°C
  • Versterking Bandbreedte Product fT: -
  • Recovery time Trr:  ns
  • Closing resistance Rds(on):3.6 Ohm
  • Montagetype: Through Hole

STP3NB80FP MOSFET N-ch 800V 2.6A TO-220FP

STMicroelectronics
STP3NB80FP /ond.k2 ***V 04072017
-
    Levertijd:1-2 werkdagen
Bestel
uitlopend
  • Type: Power MOSFET
  • Polariteit transistor: N-Channel
  • Behuizing: TO-220-FP-3
  • Vds doorslagspanning : 800 V 
  • Vgs doorslagspanning : 30 V
  • Vdg doorslagspanning: -- V 
  • ID continue afvoerstroom: 2.6 A
  • Ig Gate stroom:  nA 
  • Pd vermogenverlies: 90W 
  • Bedrijfs temperatuurbereik: -55 to +150°C
  • Versterking Bandbreedte Product fT: -
  • Recovery time Trr:  ns
  • Closing resistance Rds(on): 4.6 Ohm
  • Montagetype: Through Hole

STP4NA80 MOSFET N-ch 800V 4A TO-220

STMicroelectronics
STP4NA80 **V4 | ond.k2 | 28062017
-
    Levertijd:1-2 werkdagen
Bestel
uitlopend nog 4 stuks op voorraad
  • Type: Power MOSFET
  • Polariteit transistor: N-Channel
  • Behuizing: TO-220-3
  • Vds doorslagspanning : 800 V 
  • Vgs doorslagspanning : 30 V
  • Vdg doorslagspanning: -- V 
  • ID continue afvoerstroom: 4 A
  • Ig Gate stroom:  nA 
  • Pd vermogenverlies: 110W 
  • Bedrijfs temperatuurbereik: -65 to +150°C
  • Versterking Bandbreedte Product fT: -
  • Recovery time Trr:  ns
  • Closing resistance Rds(on): 2.4 Ohm
  • Montagetype: Through Hole

STP4NB80FP MOSFET N-ch 800V 4A TO-220F

STMicroelectronics
STP4NB80FP /ond.k2 **V5 28062017
-
    Levertijd:1-2 werkdagen
Bestel
uitlopend nog 5 stuks op voorraad
  • Type: Power MOSFET
  • Polariteit transistor: N-Channel
  • Behuizing: TO-220-F-3
  • Vds doorslagspanning : 800 V 
  • Vgs doorslagspanning : 30 V
  • Vdg doorslagspanning: -- V 
  • ID continue afvoerstroom: 4 A
  • Ig Gate stroom:  nA 
  • Pd vermogenverlies: 100W 
  • Bedrijfs temperatuurbereik: -65 to +150°C
  • Versterking Bandbreedte Product fT: -
  • Recovery time Trr:  ns
  • Closing resistance Rds(on): 3.3 Ohm
  • Montagetype: Through Hole

STP4NC60 MOSFET N-ch 600V 4.2A TO-220

STMicroelectronics
STP4NC60 /ond.k2 **V3 30062017
-
    Levertijd:1-2 werkdagen
Bestel
uitlopend nog 3 stuks op voorraad
  • Type: Power MOSFET
  • Polariteit transistor: N-Channel
  • Behuizing: TO-220-3
  • Vds doorslagspanning : 600 V 
  • Vgs doorslagspanning : 30 V
  • Vdg doorslagspanning: -- V 
  • ID continue afvoerstroom: 4.2 A
  • Ig Gate stroom:  nA 
  • Pd vermogenverlies: 100W 
  • Bedrijfs temperatuurbereik: -65 to +150°C
  • Versterking Bandbreedte Product fT: -
  • Recovery time Trr:  ns
  • Closing resistance Rds(on): 2.2 Ohm
  • Montagetype: Through Hole

STP4NK60Z MOSFET N-ch 600V 4A TO-220

STMicroelectronics
STP4NK60Z /ond.k2 30062017
-
    Levertijd:1-2 werkdagen
Bestel

 

  • Type: Power MOSFET
  • Polariteit transistor: N-Channel
  • Behuizing: TO-220-3
  • Vds doorslagspanning : 600 V 
  • Vgs doorslagspanning : 30 V
  • Vdg doorslagspanning: -- V 
  • ID continue afvoerstroom: 4 A
  • Ig Gate stroom:  nA 
  • Pd vermogenverlies: 70W 
  • Bedrijfs temperatuurbereik: -65 to +175°C
  • Versterking Bandbreedte Product fT: -
  • Recovery time Trr:  ns
  • Closing resistance Rds(on): 2 Ohm
  • Montagetype: Through Hole

STP4NK60ZFP MOSFET N-ch 600V 4A TO-220FP

STMicroelectronics
STP4NK60ZFP /ond.k2 30062017
-
    Levertijd:1-2 werkdagen
Bestel

 

  • Type: Power MOSFET
  • Polariteit transistor: N-Channel
  • Behuizing: TO-220FP-3
  • Vds doorslagspanning : 600 V 
  • Vgs doorslagspanning : 30 V
  • Vdg doorslagspanning: -- V 
  • ID continue afvoerstroom: 4 A
  • Ig Gate stroom:  nA 
  • Pd vermogenverlies: 70W 
  • Bedrijfs temperatuurbereik: -65 to +150°C
  • Versterking Bandbreedte Product fT: -
  • Recovery time Trr:  ns
  • Closing resistance Rds(on): 2 Ohm
  • Montagetype: Through Hole

STP5NB40FP MOSFET N-ch 400V 4.7A TO-220FP

STMicroelectronics
STP5NB40FP /ond.k2 04072017
-
    Levertijd:1-2 werkdagen
Bestel
to-220-fpab
  • Type: Power MOSFET
  • Polariteit transistor: N-Channel
  • Behuizing: TO-220FP
  • Vds doorslagspanning : 500 V 
  • Vgs doorslagspanning :30 V
  • Vdg doorslagspanning: -- V 
  • ID continue afvoerstroom: 4.7 A
  • Ig Gate stroom:  nA 
  • Pd vermogenverlies: 80W 
  • Bedrijfs temperatuurbereik: -65 to +150°C
  • Versterking Bandbreedte Product fT: -
  • Recovery time Trr:
  • Closing resistance Rds(on): 1.75 Ohm
  • Montagetype: Through Hole

STP5NB80 MOSFET N-ch 800V 5A TO-220

STMicroelectronics
STP5NB80 /ond.k2 **V1 30062017
-
    Levertijd:1-2 werkdagen
Bestel
uitlopend nog 1 stuks op voorraad
  • Type: Power MOSFET
  • Polariteit transistor: N-Channel
  • Behuizing: TO-220-3
  • Vds doorslagspanning : 800 V 
  • Vgs doorslagspanning : 30 V
  • Vdg doorslagspanning: -- V 
  • ID continue afvoerstroom: 5 A
  • Ig Gate stroom:  nA 
  • Pd vermogenverlies: 110W 
  • Bedrijfs temperatuurbereik: -65 to +150°C
  • Versterking Bandbreedte Product fT: -
  • Recovery time Trr:  ns
  • Closing resistance Rds(on): 1.8 Ohm
  • Montagetype: Through Hole

STP5NC50 MOSFET N-ch 500V 5.5A TO-220

STMicroelectronics
STP5NC50 /ond.k2 04072017
-
    Levertijd:1-2 werkdagen
Bestel
  • Type: Power MOSFET
  • Polariteit transistor: N-Channel
  • Behuizing: TO-220
  • Vds doorslagspanning : 500 V 
  • Vgs doorslagspanning :30 V
  • Vdg doorslagspanning: -- V 
  • ID continue afvoerstroom: 5.5 A
  • Ig Gate stroom:  nA 
  • Pd vermogenverlies: 100W 
  • Bedrijfs temperatuurbereik: -55 to +175°C
  • Versterking Bandbreedte Product fT: -
  • Recovery time Trr:
  • Closing resistance Rds(on): 1.3 Ohm
  • Montagetype: Through Hole

STP6NB80FP MOSFET N-ch 800V 5.7A TO-220FP

STMicroelectronics
STP6NB80FP /ond.k2 30062017
-
    Levertijd:1-2 werkdagen
Bestel
  • Type: Power MOSFET
  • Polariteit transistor: N-Channel
  • Behuizing: TO-220-FP-3
  • Vds doorslagspanning : 800 V 
  • Vgs doorslagspanning : 30 V
  • Vdg doorslagspanning: -- V 
  • ID continue afvoerstroom: 5.7 A
  • Ig Gate stroom:  nA 
  • Pd vermogenverlies: 125W 
  • Bedrijfs temperatuurbereik: -55 to +150°C
  • Versterking Bandbreedte Product fT: -
  • Recovery time Trr:  ns
  • Closing resistance Rds(on): 1.9 Ohm
  • Montagetype: Through Hole

STP7NK80Z MOSFET N-ch 800V 5.2A TO-220

STMicroelectronics
STP7NK80Z /ond.k2 30062017
-
    Levertijd:1-2 werkdagen
Bestel
  • Type: Power MOSFET
  • Polariteit transistor: N-Channel
  • Behuizing: TO-220
  • Vds doorslagspanning : 800 V 
  • Vgs doorslagspanning :30 V
  • Vdg doorslagspanning: -- V 
  • ID continue afvoerstroom: 5.2 A
  • Ig Gate stroom:  nA 
  • Pd vermogenverlies: 125W 
  • Bedrijfs temperatuurbereik: -55 to +175°C
  • Versterking Bandbreedte Product fT: -
  • Recovery time Trr:
  • Closing resistance Rds(on): 1.8 Ohm
  • Montagetype: Through Hole

STP9NB60 MOSFET N-ch 600V 9A TO-220

STMicroelectronics
STP9NB60 /ond.k2 29062017
-
    Levertijd:1-2 werkdagen
Bestel
  • Type: Power MOSFET
  • Polariteit transistor: N-Channel
  • Behuizing: TO-220
  • Vds doorslagspanning : 600 V 
  • Vgs doorslagspanning :30 V
  • Vdg doorslagspanning: -- V 
  • ID continue afvoerstroom: 9 A
  • Ig Gate stroom:  nA 
  • Pd vermogenverlies: 125W 
  • Bedrijfs temperatuurbereik: -65 to +150°C
  • Versterking Bandbreedte Product fT: -
  • Recovery time Trr: ns
  • Closing resistance Rds(on): 700 mOhm
  • Montagetype: Through Hole

STP9NK50ZFP MOSFET N-ch 500V 7.2A TO-220FP

STMicroelectronics
STP9NK50ZFP /ond.k2 30062017
-
    Levertijd:1-2 werkdagen
Bestel
  • Type: Power MOSFET
  • Polariteit transistor: N-Channel
  • Behuizing: TO-220-FP-3
  • Vds doorslagspanning : 600 V 
  • Vgs doorslagspanning : 30 V
  • Vdg doorslagspanning: -- V 
  • ID continue afvoerstroom: 7.2 A
  • Ig Gate stroom:  nA 
  • Pd vermogenverlies: 30W 
  • Bedrijfs temperatuurbereik: -55 to +150°C
  • Versterking Bandbreedte Product fT: -
  • Recovery time Trr:  ns
  • Closing resistance Rds(on): 850 mOhm
  • Montagetype: Through Hole

STP12NK60Z MOSFET N-ch 600V 10A TO-220

STMicroelectronics
STP12NK60Z /ond.k2 **V1 30062017
-
    Levertijd:1-2 werkdagen
Bestel
uitlopend nog 1 stuks op voorraad
  • Type: Power MOSFET
  • Polariteit transistor: N-Channel
  • Behuizing: TO-220-3
  • Vds doorslagspanning : 600 V 
  • Vgs doorslagspanning : 30 V
  • Vdg doorslagspanning: -- V 
  • ID continue afvoerstroom: 10 A
  • Ig Gate stroom:  nA 
  • Pd vermogenverlies: 150W 
  • Bedrijfs temperatuurbereik: -65 to +150°C
  • Versterking Bandbreedte Product fT: -
  • Recovery time Trr:  ns
  • Closing resistance Rds(on): 530 mOhm
  • Montagetype: Through Hole