BS, BSS, BST, BSP... FET

!
Diodes Incorporated
-
Levertijd:1-2 werkdagen
BS107 17102016
Gewicht: kg

BS107 MOSFET N-ch 200V 0.25A TO92

  • Type: N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
  • Polariteit transistor: N-Channel
  • Behuizing: TO-92
  • Vds doorslagspanning : 200 V 
  • Vgs doorslagspanning :20 V
  • Vdg doorslagspanning: -- V 
  • ID continue afvoerstroom: 120 mA
  • Ig Gate stroom: 10 nA 
  • Pd vermogenverlies: 500mW 
  • Bedrijfs temperatuurbereik: -55 to +150°C
  • Versterking Bandbreedte Product fT: -
  • Recovery time Trr: 8 ns
  • Closing resistance Rds(on):  15 Ohm
  • Montagetype: Through Hole
ON Semiconductor
-
Levertijd:1-2 werkdagen
BS108 21032018
Gewicht: kg

BS108 MOSFET N-ch 200V 0.25A 0.35W TO92

  • Type: N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
  • Polariteit transistor: N-Channel
  • Behuizing: TO-92
  • Vds doorslagspanning : 200 V 
  • Vgs doorslagspanning :20 V
  • Vdg doorslagspanning: -- V 
  • ID continue afvoerstroom: 250 mA
  • Ig Gate stroom:  nA 
  • Pd vermogenverlies: 350mW 
  • Bedrijfs temperatuurbereik: -55 to +150°C
  • Versterking Bandbreedte Product fT: -
  • Recovery time Trr:  ns
  • Closing resistance Rds(on):   Ohm
  • Montagetype: Through Hole
Fairchild
-
Levertijd:1-2 werkdagen
BS170 17102016
Gewicht: kg

BS170 MOSFET N-ch 60V 0.5A 830mW TO92

  • Type: N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
  • Polariteit transistor: N-Channel
  • Behuizing: TO-92
  • Vds doorslagspanning : 60 V 
  • Vgs doorslagspanning :20 V
  • Vdg doorslagspanning: -- V 
  • ID continue afvoerstroom: 500 mA
  • Ig Gate stroom: 10 nA 
  • Pd vermogenverlies: 830mW 
  • Bedrijfs temperatuurbereik: -55 to +150°C
  • Versterking Bandbreedte Product fT: -
  • Recovery time Trr: 10 ns
  • Closing resistance Rds(on):  5 Ohm
  • Montagetype: Through Hole
Diodes Incorporated
-
Levertijd:1-2 werkdagen
BS250 17102016
Gewicht: kg

BS250 MOSFET P-ch 60V 0.23A TO92

  • Type: P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
  • Polariteit transistor: P-Channel
  • Behuizing: TO-92
  • Vds doorslagspanning : 60 V 
  • Vgs doorslagspanning :3.5 V
  • Vdg doorslagspanning: -- V 
  • ID continue afvoerstroom: 230 mA
  • Ig Gate stroom: 10 nA 
  • Pd vermogenverlies: 830mW 
  • Bedrijfs temperatuurbereik: -55 to +150°C
  • Versterking Bandbreedte Product fT: -
  • Recovery time Trr: 10 ns
  • Closing resistance Rds(on):  14 Ohm
  • Montagetype: Through Hole
Philips
-
Levertijd:1-2 werkdagen
BSP254a ***V4 21032018
Gewicht: kg

BSP254a MOSFET P-ch 250V 0.2A 1W TO-92

UITLOPEND NOG 4 STUKS OP VOORRAAD
  • Type: N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
  • Polariteit transistor: P-Channel
  • Behuizing: TO-92
  • Vds doorslagspanning :  250V 
  • Vgs doorslagspanning :20 V
  • Vdg doorslagspanning: -- V 
  • ID continue afvoerstroom: 200 mA
  • Ig Gate stroom:  nA 
  • Pd vermogenverlies: 1W 
  • Bedrijfs temperatuurbereik: -55 to +150°C
  • Versterking Bandbreedte Product fT: -
  • Recovery time Trr:  ns
  • Closing resistance Rds(on):  Ohm
  • Montagetype: Through Hole

    Philips
    -
    Levertijd:1-2 werkdagen
    BSS89 21032018
    Gewicht: kg

    BSS89 MOSFET N-ch 240V 0.3A 1W TO-92

    • Type: N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
    • Polariteit transistor: N-Channel
    • Behuizing: TO-92
    • Vds doorslagspanning :  240V 
    • Vgs doorslagspanning :20 V
    • Vdg doorslagspanning: -- V 
    • ID continue afvoerstroom: 300 mA
    • Ig Gate stroom:  nA 
    • Pd vermogenverlies: 1W 
    • Bedrijfs temperatuurbereik: -55 to +150°C
    • Versterking Bandbreedte Product fT: -
    • Recovery time Trr:  ns
    • Closing resistance Rds(on):  Ohm
    • Montagetype: Through Hole

      Philips
      -
      Levertijd:1-2 werkdagen
      BSS92 21032018
      Gewicht: kg

      BSS92 MOSFET P-ch 240V 0.3A 1W TO-92

      • Type: N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
      • Polariteit transistor: P-Channel
      • Behuizing: TO-92
      • Vds doorslagspanning :  240V 
      • Vgs doorslagspanning :20 V
      • Vdg doorslagspanning: -- V 
      • ID continue afvoerstroom: 300 mA
      • Ig Gate stroom:  nA 
      • Pd vermogenverlies: 1W 
      • Bedrijfs temperatuurbereik: -55 to +150°C
      • Versterking Bandbreedte Product fT: -
      • Recovery time Trr:  ns
      • Closing resistance Rds(on):  Ohm
      • Montagetype: Through Hole

        Philips
        -
        Levertijd:1-2 werkdagen
        BST72 ***V7 21032018
        Gewicht: kg

        BST72 MOSFET N-ch 100V 190mA 830mW TO-92

        UITLOPEND NOG 7 STUKS OP VOORRAAD
        • Type: N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transitor
        • Polariteit transistor: N-Channel
        • Behuizing: TO-92
        • Vds doorslagspanning :  100V 
        • Vgs doorslagspanning :20 V
        • Vdg doorslagspanning: -- V 
        • ID continue afvoerstroom: 190 mA
        • Ig Gate stroom:  nA 
        • Pd vermogenverlies: 830mW 
        • Bedrijfs temperatuurbereik: -55 to +150°C
        • Versterking Bandbreedte Product fT: -
        • Recovery time Trr:  ns
        • Closing resistance Rds(on):  Ohm
        • Montagetype: Through Hole