BF, BFW ... FET

!
Fairchild Semiconductor
Levertijd:1-2 werkdagen
BF244B ***V4 12072017
Gewicht: kg

BF244B FET N-ch 30V 50mA 350mW TO92

uitlopend nog 4 op voorraad

  • Type: N-Channel FET
  • Polariteit transistor: N-Channel
  • Behuizing: TO-92
  • Vds doorslagspanning : 30 V 
  • Vgs doorslagspanning :3.8 V
  • Vdg doorslagspanning: 30 V 
  • ID continue afvoerstroom: 50 mA
  • Ig Gate stroom:
  • Pd vermogenverlies: 350mW 
  • Bedrijfs temperatuurbereik: -55 to +150°C
  • Versterking Bandbreedte Product fT: -
  • Recovery time Trr:   ns
  • Closing resistance Rds(on):  
  • Montagetype: Through Hole
Fairchild Semiconductor
Levertijd:1-2 werkdagen
BF244C ***V8 12072017
Gewicht: kg

BF244C FET N-ch 30V 50mA 350mW TO92

uitlopend nog 8 op voorraad

  • Type: N-Channel FET
  • Polariteit transistor: N-Channel
  • Behuizing: TO-92
  • Vds doorslagspanning : 30 V 
  • Vgs doorslagspanning :7.5 V
  • Vdg doorslagspanning: 30 V 
  • ID continue afvoerstroom: 50 mA
  • Ig Gate stroom:
  • Pd vermogenverlies: 350mW 
  • Bedrijfs temperatuurbereik: -55 to +150°C
  • Versterking Bandbreedte Product fT: -
  • Recovery time Trr:   ns
  • Closing resistance Rds(on):  
  • Montagetype: Through Hole
ON Semiconductor
Levertijd:1-2 werkdagen
BF245A 12072017
Gewicht: kg

BF245A FET N-ch 30V 100mA 350mW TO92

 

  • Type: N-Channel FET
  • Polariteit transistor: N-Channel
  • Behuizing: TO-92
  • Vds doorslagspanning : 30 V 
  • Vgs doorslagspanning :2.2 V
  • Vdg doorslagspanning: 30 V 
  • ID continue afvoerstroom: 100 mA
  • Ig Gate stroom:
  • Pd vermogenverlies: 350mW 
  • Bedrijfs temperatuurbereik: -55 to +150°C
  • Versterking Bandbreedte Product fT: -
  • Recovery time Trr:   ns
  • Closing resistance Rds(on):  
  • Montagetype: Through Hole
ON Semiconductor
Levertijd:1-2 werkdagen
BF245C 12072017
Gewicht: kg

BF245C FET N-ch 30V 100mA 350mW TO92

 

  • Type: N-Channel FET
  • Polariteit transistor: N-Channel
  • Behuizing: TO-92
  • Vds doorslagspanning : 30 V 
  • Vgs doorslagspanning : 7.5 V
  • Vdg doorslagspanning: 30 V 
  • ID continue afvoerstroom: 100 mA
  • Ig Gate stroom:
  • Pd vermogenverlies: 350mW 
  • Bedrijfs temperatuurbereik: -55 to +150°C
  • Versterking Bandbreedte Product fT: -
  • Recovery time Trr:   ns
  • Closing resistance Rds(on):  
  • Montagetype: Through Hole
Philips
Levertijd:1-2 werkdagen
BF246C 12072017
Gewicht: kg

BF246C FET N-ch 25V 250mA 400mW TO92

 

  • Type: N-Channel FET
  • Polariteit transistor: N-Channel
  • Behuizing: TO-92
  • Vds doorslagspanning : 25 V 
  • Vgs doorslagspanning : 12 V
  • Vdg doorslagspanning: 25 V 
  • ID continue afvoerstroom: 250 mA
  • Ig Gate stroom:
  • Pd vermogenverlies: 400mW 
  • Bedrijfs temperatuurbereik: -55 to +150°C
  • Versterking Bandbreedte Product fT: -
  • Recovery time Trr:   ns
  • Closing resistance Rds(on):  
  • Montagetype: Through Hole
Philips
Levertijd:1-2 werkdagen
BF247B ***V4 12072017
Gewicht: kg

BF247B FET N-ch 25V 250mA 400mW TO92

uitlopend nog 4 op voorraad

  • Type: N-Channel FET
  • Polariteit transistor: N-Channel
  • Behuizing: TO-92
  • Vds doorslagspanning : 25 V 
  • Vgs doorslagspanning : 7 V
  • Vdg doorslagspanning: 25 V 
  • ID continue afvoerstroom: 250 mA
  • Ig Gate stroom:
  • Pd vermogenverlies: 400mW 
  • Bedrijfs temperatuurbereik: -55 to +150°C
  • Versterking Bandbreedte Product fT: -
  • Recovery time Trr:   ns
  • Closing resistance Rds(on):  
  • Montagetype: Through Hole
Fairchild Semiconductor
Levertijd:1-2 werkdagen
BF256A 12072017
Gewicht: kg

BF256A FET N-ch 30V 100mA 350mW TO92

 

  • Type: N-Channel FET
  • Polariteit transistor: N-Channel
  • Behuizing: TO-92
  • Vds doorslagspanning : 30 V 
  • Vgs doorslagspanning : -30 V
  • Vdg doorslagspanning: 30 V 
  • ID continue afvoerstroom: 100 mA
  • IDss Zero Gate Voltage Drain Current min - max : 3 - 7 mA  
  • Ig Gate stroom:
  • Pd vermogenverlies: 350mW 
  • Bedrijfs temperatuurbereik: -55 to +150°C
  • Versterking Bandbreedte Product fT: -
  • Recovery time Trr:   ns
  • Closing resistance Rds(on):  
  • Montagetype: Through Hole
Fairchild Semiconductor
Levertijd:1-2 werkdagen
BF256B ***V22 12072017
Gewicht: kg

BF256B FET N-ch 30V 100mA 350mW TO92

uitlopend nog 22 op voorraad

  • Type: N-Channel FET
  • Polariteit transistor: N-Channel
  • Behuizing: TO-92
  • Vds doorslagspanning : 30 V 
  • Vgs doorslagspanning :-30 V
  • Vdg doorslagspanning: 30 V 
  • ID continue afvoerstroom: 100 mA
  • IDss Zero Gate Voltage Drain Current min - max : 6 - 13 mA
  • Ig Gate stroom:
  • Pd vermogenverlies: 350mW 
  • Bedrijfs temperatuurbereik: -55 to +150°C
  • Versterking Bandbreedte Product fT: -
  • Recovery time Trr:   ns
  • Closing resistance Rds(on):  
  • Montagetype: Through Hole
Fairchild Semiconductor
Levertijd:1-2 werkdagen
BF256C 12072017
Gewicht: kg

BF256C FET N-ch 30V 100mA 350mW TO92

 

  • Type: N-Channel FET
  • Polariteit transistor: N-Channel
  • Behuizing: TO-92
  • Vds doorslagspanning : 30 V 
  • Vgs doorslagspanning : -30 V
  • Vdg doorslagspanning: 30 V 
  • ID continue afvoerstroom: 100 mA
  • IDss Zero Gate Voltage Drain Current min - max : 11 - 18 mA  
  • Ig Gate stroom:
  • Pd vermogenverlies: 350mW 
  • Bedrijfs temperatuurbereik: -55 to +150°C
  • Versterking Bandbreedte Product fT: -
  • Recovery time Trr:   ns
  • Closing resistance Rds(on):  
  • Montagetype: Through Hole
Philips
Levertijd:1-2 werkdagen
BF410 ***V11 13072017
Gewicht: kg

BF410 FET N-ch 20V 30mA 300mW TO92

uitlopend nog 11 op voorraad

  • Type: N-Channel FET
  • Polariteit transistor: N-Channel
  • Behuizing: TO-92
  • Vds doorslagspanning : 20 V 
  • Vgs doorslagspanning :  V
  • Vdg doorslagspanning: 20 V 
  • ID continue afvoerstroom: 30 mA
  • IDss Zero Gate Voltage Drain Current min - max : 
  • Ig Gate stroom:
  • Pd vermogenverlies: 300mW 
  • Bedrijfs temperatuurbereik: -55 to +150°C
  • Versterking Bandbreedte Product fT: -
  • Recovery time Trr:   ns
  • Closing resistance Rds(on):  
  • Montagetype: Through Hole
Unbranded
Levertijd:1-2 werkdagen
BF900 ***V3 20032018
Gewicht: kg

BF900 FET N-ch 20V 50mA SOT-103

uitlopend nog 3 op voorraad

  • Type: N-Channel FET
  • Polariteit transistor: N-Channel
  • Behuizing: SOT-103 TO-50-4
  • Vds doorslagspanning : 20 V 
  • Vgs doorslagspanning : -- V
  • Vdg doorslagspanning: -- V 
  • ID continue afvoerstroom: 50 mA
  • Ig Gate stroom:
  • Pd vermogenverlies: mW 
  • Bedrijfs temperatuurbereik: -55 to +150°C
  • Versterking Bandbreedte Product fT: -
  • Recovery time Trr:   ns
  • Closing resistance Rds(on):  
  • Montagetype: Through Hole
Unbranded
Levertijd:1-2 werkdagen
BF961 ***V4 20032018
Gewicht: kg

BF961 FET N-ch 20V 30mA 200mW SOT-103

uitlopend nog 4 op voorraad

  • Type: N-Channel FET
  • Polariteit transistor: N-Channel
  • Behuizing: SOT-103 TO-50-4
  • Vds doorslagspanning : 20 V 
  • Vgs doorslagspanning : -- V
  • Vdg doorslagspanning: -- V 
  • ID continue afvoerstroom: 30 mA
  • Ig Gate stroom:
  • Pd vermogenverlies: 200 mW 
  • Bedrijfs temperatuurbereik: -55 to +150°C
  • Versterking Bandbreedte Product fT: -
  • Recovery time Trr:   ns
  • Closing resistance Rds(on):  
  • Montagetype: Through Hole
Philips
Levertijd:1-2 werkdagen
BF964 ***V20 20032018
Gewicht: kg

BF964 FET N-ch 20V 30mA 225mW SOT-103

uitlopend nog +/- 20 op voorraad

  • Type: N-Channel FET
  • Polariteit transistor: N-Channel
  • Behuizing: SOT-103 TO-50-4
  • Vds doorslagspanning : 20 V 
  • Vgs doorslagspanning : -- V
  • Vdg doorslagspanning: -- V 
  • ID continue afvoerstroom: 30 mA
  • Ig Gate stroom:
  • Pd vermogenverlies: 225 mW 
  • Bedrijfs temperatuurbereik: -55 to +150°C
  • Versterking Bandbreedte Product fT: -
  • Recovery time Trr:   ns
  • Closing resistance Rds(on):  
  • Montagetype: Through Hole
Vishay
Levertijd:1-2 werkdagen
BF966 ***V6 20032018
Gewicht: kg

BF966 FET N-ch 20V 30mA 225mW SOT-103

uitlopend nog 6 op voorraad

  • Type: N-Channel FET
  • Polariteit transistor: N-Channel
  • Behuizing: SOT-103 TO-50-4
  • Vds doorslagspanning : 20 V 
  • Vgs doorslagspanning : -- V
  • Vdg doorslagspanning: -- V 
  • ID continue afvoerstroom: 30 mA
  • Ig Gate stroom:
  • Pd vermogenverlies: 225 mW 
  • Bedrijfs temperatuurbereik: -55 to +150°C
  • Versterking Bandbreedte Product fT: -
  • Recovery time Trr:   ns
  • Closing resistance Rds(on):  
  • Montagetype: Through Hole
Unbranded
Levertijd:1-2 werkdagen
BF980 ***V1 20032018
Gewicht: kg

BF980 FET N-ch 18V 30mA 225mW SOT-103

uitlopend nog 1 op voorraad

  • Type: N-Channel FET
  • Polariteit transistor: N-Channel
  • Behuizing: SOT-103 TO-50-4
  • Vds doorslagspanning : 18 V 
  • Vgs doorslagspanning : -- V
  • Vdg doorslagspanning: -- V 
  • ID continue afvoerstroom: 30 mA
  • Ig Gate stroom:
  • Pd vermogenverlies: 225 mW 
  • Bedrijfs temperatuurbereik: -55 to +150°C
  • Versterking Bandbreedte Product fT: -
  • Recovery time Trr:   ns
  • Closing resistance Rds(on):  
  • Montagetype: Through Hole
Philips
Levertijd:1-2 werkdagen
BF981 ***V2 20032018
Gewicht: kg

BF981 FET N-ch 20V 20mA 225mW SOT-103

uitlopend nog 2 op voorraad

  • Type: N-Channel FET
  • Polariteit transistor: N-Channel
  • Behuizing: SOT-103 TO-50-4
  • Vds doorslagspanning : 20 V 
  • Vgs doorslagspanning : -- V
  • Vdg doorslagspanning: -- V 
  • ID continue afvoerstroom: 20 mA
  • Ig Gate stroom:
  • Pd vermogenverlies: 225 mW 
  • Bedrijfs temperatuurbereik: -55 to +150°C
  • Versterking Bandbreedte Product fT: -
  • Recovery time Trr:   ns
  • Closing resistance Rds(on):  
  • Montagetype: Through Hole
Philips
Levertijd:1-2 werkdagen
BF982 ***V2 20032018
Gewicht: kg

BF982 FET N-ch 20V 40mA 225mW SOT-103

uitlopend nog 2 op voorraad

  • Type: N-Channel FET
  • Polariteit transistor: N-Channel
  • Behuizing: SOT-103 TO-50-4
  • Vds doorslagspanning : 20 V 
  • Vgs doorslagspanning : -- V
  • Vdg doorslagspanning: -- V 
  • ID continue afvoerstroom: 40 mA
  • Ig Gate stroom:
  • Pd vermogenverlies: 225 mW 
  • Bedrijfs temperatuurbereik: -55 to +150°C
  • Versterking Bandbreedte Product fT: -
  • Recovery time Trr:   ns
  • Closing resistance Rds(on):  
  • Montagetype: Through Hole
Vishay
Levertijd:1-2 werkdagen
BF988 ***V13 20032018
Gewicht: kg

BF988 FET N-ch 12V 30mA 200mW SOT-103

uitlopend nog 13 op voorraad

  • Type: N-Channel FET
  • Polariteit transistor: N-Channel
  • Behuizing: SOT-103 TO-50-4
  • Vds doorslagspanning : 12 V 
  • Vgs doorslagspanning : -- V
  • Vdg doorslagspanning: -- V 
  • ID continue afvoerstroom: 30 mA
  • Ig Gate stroom:
  • Pd vermogenverlies: 200 mW 
  • Bedrijfs temperatuurbereik: -55 to +150°C
  • Versterking Bandbreedte Product fT: -
  • Recovery time Trr:   ns
  • Closing resistance Rds(on):  
  • Montagetype: Through Hole
Philips
Levertijd:1-2 werkdagen
BFW12 ***V3 14072017
Gewicht: kg
to-72

BFW12 FET N-ch 30V 5mA 150mW TO-72

uitlopend nog 3 op voorraad
  • Type: N-Channel FET
  • Polariteit transistor: N-Channel
  • Behuizing: TO-92
  • Vds doorslagspanning : 30 V 
  • Vgs doorslagspanning : 30 V
  • Vdg doorslagspanning:  30 V 
  • ID continue afvoerstroom: 5 mA
  • IDss Zero Gate Voltage Drain Current min - max : 
  • Ig Gate stroom:
  • Pd vermogenverlies: 150mW 
  • Bedrijfs temperatuurbereik: -55 to +175°C
  • Versterking Bandbreedte Product fT: -
  • Recovery time Trr:   ns
  • Closing resistance Rds(on):  
  • Montagetype: Through Hole