0
0
Home
>
Componenten | Elektronica
>
Componenten
>
Actieve | Componenten
>
Transistoren FET Triac Thyristor Diac IGBT
>
FET's
>
FQP... | FET's
FQP... | FET's
FQP... | FET's
FQP8N60C MOSFET N-ch 600V 7.5A TO-220
Fairchild Semiconductor
FQP8N60C | ond.k2 | ***V1 | 27082018
kg
Levertijd:
voorraad artikel 1-2 werkdagen
Bestel
Type: Power MOSFET
Polariteit transistor: N-Channel
Behuizing: TO-220-3
Vds doorslagspanning : 600 V
Vgs doorslagspanning : 30 V
Vdg doorslagspanning: -- V
ID continue afvoerstroom: 7.5 A
Ig Gate stroom: nA
Pd vermogenverlies: 147W
Bedrijfs temperatuurbereik: -55 to +150°C
Versterking Bandbreedte Product fT
: -
Recovery time Trr: ns
Closing resistance Rds(on): Ohm
Montagetype
:
Through Hole
FQP30N06L MOSFET N-ch 60V 32A TO-220
Onsemi
FQP30N06L | ond.k2 | 29062017
kg
Levertijd:
voorraad artikel 1-2 werkdagen
Bestel
Type: Power MOSFET
Polariteit transistor: N-Channel
Behuizing: TO-220-3
Vds doorslagspanning : 60 V
Vgs doorslagspanning : 20 V
Vdg doorslagspanning: -- V
ID continue afvoerstroom: 32 A
Ig Gate stroom: nA
Pd vermogenverlies: 79W
Bedrijfs temperatuurbereik: -55 to +150°C
Versterking Bandbreedte Product fT
: -
Recovery time Trr: ns
Closing resistance Rds(on): Ohm
Montagetype
:
Through Hole
FQP50N06 MOSFET N-ch 60V 50A TO-220
Fairchild Semiconductor
FQP50N06 | ond.k2 | ***V3 | 30062017
kg
Levertijd:
voorraad artikel 1-2 werkdagen
Bestel
Type: Power MOSFET
Polariteit transistor: N-Channel
Behuizing: TO-220-3
Vds doorslagspanning : 60 V
Vgs doorslagspanning : 25 V
Vdg doorslagspanning: -- V
ID continue afvoerstroom: 50 A
Ig Gate stroom: nA
Pd vermogenverlies: 120W
Bedrijfs temperatuurbereik: -55 to +175°C
Versterking Bandbreedte Product fT
: -
Recovery time Trr: ns
Closing resistance Rds(on): 22 mOhm
Montagetype
:
Through Hole
!
update: 3 oktober 2024
Brigatti Electronics Copyright © 1994-2024
Mobiele weergave
Webwinkel gemaakt met ShopFactory webwinkel software.
0
Nederlands (Dutch)