0
0
Home
>
Componenten | Elektronica
>
Componenten
>
Actieve | Componenten
>
Transistoren FET Triac Thyristor Diac IGBT
>
FET's
>
SPP... | FET's
SPP... | FET's
SPP... | FET's
SPP20N60C3 MOSFET N-ch 650V 20.7A TO-220
Infineon Technologies
SPP20N60C3 /ond.k2 29062017
-
kg
Levertijd:
1-2 werkdagen
Bestel
Type: Power MOSFET
Polariteit transistor: N-Channel
Behuizing: TO-220
Vds doorslagspanning : 600 V
Vgs doorslagspanning :20 V
Vdg doorslagspanning: -- V
ID continue afvoerstroom: 20.7 A
Ig Gate stroom: nA
Pd vermogenverlies: 208W
Bedrijfs temperatuurbereik: -55 to +150
°C
Versterking Bandbreedte Product fT
: -
Recovery time Trr: ns
Closing resistance Rds(on): 190 mOhm
Montagetype
:
Through Hole
!
Hobbemastraat 18
5613 HL Eindhoven
tel +31(0)40 2459163
info@brigatti.nl
maandag 9:30 - 16:00 uur
dinsdag 9:30 - 16:00 uur
woensdag 9:30 - 16:00 uur
donderdag 9:30 - 16:00 uur
vrijdag 9:30 - 16:00 uur
zaterdag gesloten i.v.m. Lockdown tot 19 jan -2021
contact & info
verzenden en voorwaarden
privacy
routebeschrijving
leveringsvoorwaarden
postadres:
postbus 6189
5600 HD Eindhoven
bank & KvK nummer:
NL39 INGB 0672909561
17085907
update: 22 januari 2021
Brigatti Electronics Copyright © 1994-2021
Mobiele weergave
Webwinkel gemaakt met ShopFactory webwinkel software.
0