STP... | FET's

STP3NB60 MOSFET N-ch 600V 3.3A TO-220

STMicroelectronics
STP3NB60 /ond.k2 28062017
-
kg
    Levertijd:voorraad artikel 1-2 werkdagen
Bestel
  • Type: Power MOSFET
  • Polariteit transistor: N-Channel
  • Behuizing: TO-220-3
  • Vds doorslagspanning : 600 V 
  • Vgs doorslagspanning : 30 V
  • Vdg doorslagspanning: -- V 
  • ID continue afvoerstroom: 3.3 A
  • Ig Gate stroom:  nA 
  • Pd vermogenverlies: 80W 
  • Bedrijfs temperatuurbereik: -55 to +175°C
  • Versterking Bandbreedte Product fT: -
  • Recovery time Trr:  ns
  • Closing resistance Rds(on): 3.6 Ohm
  • Montagetype: Through Hole

STP3NK60Z MOSFET N-ch 600V 2.4A TO-220

STMicroelectronics
STP3NK60Z /ond.k2 28062017
-
kg
    Levertijd:voorraad artikel 1-2 werkdagen
Bestel
  • Type: Power MOSFET
  • Polariteit transistor: N-Channel
  • Behuizing: TO-220-3
  • Vds doorslagspanning : 600 V 
  • Vgs doorslagspanning : 30 V
  • Vdg doorslagspanning: -- V 
  • ID continue afvoerstroom: 2.4 A
  • Ig Gate stroom:  nA 
  • Pd vermogenverlies: 45W 
  • Bedrijfs temperatuurbereik: -55 to +175°C
  • Versterking Bandbreedte Product fT: -
  • Recovery time Trr:  ns
  • Closing resistance Rds(on): 3.6 Ohm
  • Montagetype: Through Hole

STP3NK60ZFP MOSFET N-ch 600V 2.4A TO-220FP

STMicroelectronics
STP3NK60ZFP /ond.k2 28062017
-
kg
    Levertijd:voorraad artikel 1-2 werkdagen
Bestel
  • Type: Power MOSFET
  • Polariteit transistor: N-Channel
  • Behuizing: TO-220-FP-3
  • Vds doorslagspanning : 600 V 
  • Vgs doorslagspanning : 30 V
  • Vdg doorslagspanning: -- V 
  • ID continue afvoerstroom: 2.4 A
  • Ig Gate stroom:  nA 
  • Pd vermogenverlies: 20W 
  • Bedrijfs temperatuurbereik: -55 to +175°C
  • Versterking Bandbreedte Product fT: -
  • Recovery time Trr:  ns
  • Closing resistance Rds(on):3.6 Ohm
  • Montagetype: Through Hole

STP3NB80FP MOSFET N-ch 800V 2.6A TO-220FP

STMicroelectronics
STP3NB80FP /ond.k2 ***V 04072017
kg
    Levertijd:voorraad artikel 1-2 werkdagen
Bestel
uitlopend
  • Type: Power MOSFET
  • Polariteit transistor: N-Channel
  • Behuizing: TO-220-FP-3
  • Vds doorslagspanning : 800 V 
  • Vgs doorslagspanning : 30 V
  • Vdg doorslagspanning: -- V 
  • ID continue afvoerstroom: 2.6 A
  • Ig Gate stroom:  nA 
  • Pd vermogenverlies: 90W 
  • Bedrijfs temperatuurbereik: -55 to +150°C
  • Versterking Bandbreedte Product fT: -
  • Recovery time Trr:  ns
  • Closing resistance Rds(on): 4.6 Ohm
  • Montagetype: Through Hole

STP4NA80 MOSFET N-ch 800V 4A TO-220

STMicroelectronics
STP4NA80 | ***V4 | ond.k2 | 28062017
UITLOPEND NOG 4 STUKS OP VOORRAAD
kg
    Levertijd:voorraad artikel 1-2 werkdagen
Bestel
 
  • Type: Power MOSFET
  • Polariteit transistor: N-Channel
  • Behuizing: TO-220-3
  • Vds doorslagspanning : 800 V 
  • Vgs doorslagspanning : 30 V
  • Vdg doorslagspanning: -- V 
  • ID continue afvoerstroom: 4 A
  • Ig Gate stroom:  nA 
  • Pd vermogenverlies: 110W 
  • Bedrijfs temperatuurbereik: -65 to +150°C
  • Versterking Bandbreedte Product fT: -
  • Recovery time Trr:  ns
  • Closing resistance Rds(on): 2.4 Ohm
  • Montagetype: Through Hole

STP4NB80FP MOSFET N-ch 800V 4A TO-220F

STMicroelectronics
STP4NB80FP | /ond.k2 | ***V4 | 28062017
UITLOPEND NOG 3 STUKS OP VOORRAAD
kg
    Levertijd:voorraad artikel 1-2 werkdagen
Bestel
 
  • Type: Power MOSFET
  • Polariteit transistor: N-Channel
  • Behuizing: TO-220-F-3
  • Vds doorslagspanning : 800 V 
  • Vgs doorslagspanning : 30 V
  • Vdg doorslagspanning: -- V 
  • ID continue afvoerstroom: 4 A
  • Ig Gate stroom:  nA 
  • Pd vermogenverlies: 100W 
  • Bedrijfs temperatuurbereik: -65 to +150°C
  • Versterking Bandbreedte Product fT: -
  • Recovery time Trr:  ns
  • Closing resistance Rds(on): 3.3 Ohm
  • Montagetype: Through Hole

STP4NC60 MOSFET N-ch 600V 4.2A TO-220

STMicroelectronics
STP4NC60 /ond.k2 **V3 30062017
kg
    Levertijd:voorraad artikel 1-2 werkdagen
Bestel
uitlopend nog 3 stuks op voorraad
  • Type: Power MOSFET
  • Polariteit transistor: N-Channel
  • Behuizing: TO-220-3
  • Vds doorslagspanning : 600 V 
  • Vgs doorslagspanning : 30 V
  • Vdg doorslagspanning: -- V 
  • ID continue afvoerstroom: 4.2 A
  • Ig Gate stroom:  nA 
  • Pd vermogenverlies: 100W 
  • Bedrijfs temperatuurbereik: -65 to +150°C
  • Versterking Bandbreedte Product fT: -
  • Recovery time Trr:  ns
  • Closing resistance Rds(on): 2.2 Ohm
  • Montagetype: Through Hole

STP4NK60Z MOSFET N-ch 600V 4A TO-220

STMicroelectronics
STP4NK60Z /ond.k2 30062017
-
kg
    Levertijd:voorraad artikel 1-2 werkdagen
Bestel

 

  • Type: Power MOSFET
  • Polariteit transistor: N-Channel
  • Behuizing: TO-220-3
  • Vds doorslagspanning : 600 V 
  • Vgs doorslagspanning : 30 V
  • Vdg doorslagspanning: -- V 
  • ID continue afvoerstroom: 4 A
  • Ig Gate stroom:  nA 
  • Pd vermogenverlies: 70W 
  • Bedrijfs temperatuurbereik: -65 to +175°C
  • Versterking Bandbreedte Product fT: -
  • Recovery time Trr:  ns
  • Closing resistance Rds(on): 2 Ohm
  • Montagetype: Through Hole

STP4NK60ZFP MOSFET N-ch 600V 4A TO-220FP

STMicroelectronics
STP4NK60ZFP /ond.k2 30062017
-
kg
    Levertijd:voorraad artikel 1-2 werkdagen
Bestel

 

  • Type: Power MOSFET
  • Polariteit transistor: N-Channel
  • Behuizing: TO-220FP-3
  • Vds doorslagspanning : 600 V 
  • Vgs doorslagspanning : 30 V
  • Vdg doorslagspanning: -- V 
  • ID continue afvoerstroom: 4 A
  • Ig Gate stroom:  nA 
  • Pd vermogenverlies: 70W 
  • Bedrijfs temperatuurbereik: -65 to +150°C
  • Versterking Bandbreedte Product fT: -
  • Recovery time Trr:  ns
  • Closing resistance Rds(on): 2 Ohm
  • Montagetype: Through Hole

STP5NB40FP MOSFET N-ch 400V 4.7A TO-220FP

STMicroelectronics
STP5NB40FP /ond.k2 04072017
-
kg
    Levertijd:voorraad artikel 1-2 werkdagen
Bestel
to-220-fpab
  • Type: Power MOSFET
  • Polariteit transistor: N-Channel
  • Behuizing: TO-220FP
  • Vds doorslagspanning : 500 V 
  • Vgs doorslagspanning :30 V
  • Vdg doorslagspanning: -- V 
  • ID continue afvoerstroom: 4.7 A
  • Ig Gate stroom:  nA 
  • Pd vermogenverlies: 80W 
  • Bedrijfs temperatuurbereik: -65 to +150°C
  • Versterking Bandbreedte Product fT: -
  • Recovery time Trr:
  • Closing resistance Rds(on): 1.75 Ohm
  • Montagetype: Through Hole

STP5NB80 MOSFET N-ch 800V 5A TO-220

STMicroelectronics
STP5NB80 /ond.k2 **V1 30062017
kg
    Levertijd:voorraad artikel 1-2 werkdagen
Bestel
uitlopend nog 1 stuks op voorraad
  • Type: Power MOSFET
  • Polariteit transistor: N-Channel
  • Behuizing: TO-220-3
  • Vds doorslagspanning : 800 V 
  • Vgs doorslagspanning : 30 V
  • Vdg doorslagspanning: -- V 
  • ID continue afvoerstroom: 5 A
  • Ig Gate stroom:  nA 
  • Pd vermogenverlies: 110W 
  • Bedrijfs temperatuurbereik: -65 to +150°C
  • Versterking Bandbreedte Product fT: -
  • Recovery time Trr:  ns
  • Closing resistance Rds(on): 1.8 Ohm
  • Montagetype: Through Hole

STP5NC50 MOSFET N-ch 500V 5.5A TO-220

STMicroelectronics
STP5NC50 /ond.k2 04072017
-
kg
    Levertijd:voorraad artikel 1-2 werkdagen
Bestel
  • Type: Power MOSFET
  • Polariteit transistor: N-Channel
  • Behuizing: TO-220
  • Vds doorslagspanning : 500 V 
  • Vgs doorslagspanning :30 V
  • Vdg doorslagspanning: -- V 
  • ID continue afvoerstroom: 5.5 A
  • Ig Gate stroom:  nA 
  • Pd vermogenverlies: 100W 
  • Bedrijfs temperatuurbereik: -55 to +175°C
  • Versterking Bandbreedte Product fT: -
  • Recovery time Trr:
  • Closing resistance Rds(on): 1.3 Ohm
  • Montagetype: Through Hole

STP7NK80Z MOSFET N-ch 800V 5.2A TO-220

STMicroelectronics
STP7NK80Z /ond.k2 30062017
-
kg
    Levertijd:voorraad artikel 1-2 werkdagen
Bestel
  • Type: Power MOSFET
  • Polariteit transistor: N-Channel
  • Behuizing: TO-220
  • Vds doorslagspanning : 800 V 
  • Vgs doorslagspanning :30 V
  • Vdg doorslagspanning: -- V 
  • ID continue afvoerstroom: 5.2 A
  • Ig Gate stroom:  nA 
  • Pd vermogenverlies: 125W 
  • Bedrijfs temperatuurbereik: -55 to +175°C
  • Versterking Bandbreedte Product fT: -
  • Recovery time Trr:
  • Closing resistance Rds(on): 1.8 Ohm
  • Montagetype: Through Hole

STP9NB60 MOSFET N-ch 600V 9A TO-220

STMicroelectronics
STP9NB60 /ond.k2 | 29062017
kg
    Levertijd:geen voorraad artikel 2-4 werkdagen
Bestel
  • Type: Power MOSFET
  • Polariteit transistor: N-Channel
  • Behuizing: TO-220
  • Vds doorslagspanning : 600 V 
  • Vgs doorslagspanning :30 V
  • Vdg doorslagspanning: -- V 
  • ID continue afvoerstroom: 9 A
  • Ig Gate stroom:  nA 
  • Pd vermogenverlies: 125W 
  • Bedrijfs temperatuurbereik: -65 to +150°C
  • Versterking Bandbreedte Product fT: -
  • Recovery time Trr: ns
  • Closing resistance Rds(on): 700 mOhm
  • Montagetype: Through Hole

STP9NK50ZFP MOSFET N-ch 500V 7.2A TO-220FP

STMicroelectronics
STP9NK50ZFP /ond.k2 30062017
-
kg
    Levertijd:voorraad artikel 1-2 werkdagen
Bestel
  • Type: Power MOSFET
  • Polariteit transistor: N-Channel
  • Behuizing: TO-220-FP-3
  • Vds doorslagspanning : 600 V 
  • Vgs doorslagspanning : 30 V
  • Vdg doorslagspanning: -- V 
  • ID continue afvoerstroom: 7.2 A
  • Ig Gate stroom:  nA 
  • Pd vermogenverlies: 30W 
  • Bedrijfs temperatuurbereik: -55 to +150°C
  • Versterking Bandbreedte Product fT: -
  • Recovery time Trr:  ns
  • Closing resistance Rds(on): 850 mOhm
  • Montagetype: Through Hole

STP16NE06 MOSFET N-ch 60V 16A TO-220

STMicroelectronics
STP16NE06 /ond.k2 | ***V192 | 30062017
UITLOPEND NOG 192 STUKS OP VOORRAAD
kg
    Levertijd:voorraad artikel 1-2 werkdagen
Bestel
 
  • Type: Power MOSFET
  • Polariteit transistor: N-Channel
  • Behuizing: TO-220-3
  • Vds doorslagspanning : 60 V 
  • Vgs doorslagspanning : 20 V
  • Vdg doorslagspanning: -- V 
  • ID continue afvoerstroom: 16 A
  • Ig Gate stroom:  nA 
  • Pd vermogenverlies: 60W 
  • Bedrijfs temperatuurbereik: -65 to +150°C
  • Versterking Bandbreedte Product fT: -
  • Recovery time Trr:  ns
  • Closing resistance Rds(on): 100 mOhm
  • Montagetype: Through Hole

STP16NE06FP MOSFET N-ch 60V 16A TO-220FP

STMicroelectronics
STP16NE06FP /ond.k2 30062017
-
kg
    Levertijd:voorraad artikel 1-2 werkdagen
Bestel
to-220-fpab
 
  • Type: Power MOSFET
  • Polariteit transistor: N-Channel
  • Behuizing: TO-220FP-3
  • Vds doorslagspanning : 60 V 
  • Vgs doorslagspanning : 20 V
  • Vdg doorslagspanning: -- V 
  • ID continue afvoerstroom: 16 A
  • Ig Gate stroom:  nA 
  • Pd vermogenverlies: 60W 
  • Bedrijfs temperatuurbereik: -65 to +150°C
  • Versterking Bandbreedte Product fT: -
  • Recovery time Trr:  ns
  • Closing resistance Rds(on): 100 mOhm
  • Montagetype: Through Hole

STP16NF06 MOSFET N-ch 60V 16A TO-220

STMicroelectronics
STP16NF06 /ond.k2 30062017
-
kg
    Levertijd:voorraad artikel 1-2 werkdagen
Bestel
  • Type: Power MOSFET
  • Polariteit transistor: N-Channel
  • Behuizing: TO-220
  • Vds doorslagspanning : 60 V 
  • Vgs doorslagspanning :20 V
  • Vdg doorslagspanning: -- V 
  • ID continue afvoerstroom: 16 A
  • Ig Gate stroom:  nA 
  • Pd vermogenverlies: 45W 
  • Bedrijfs temperatuurbereik: -55 to +175°C
  • Versterking Bandbreedte Product fT: -
  • Recovery time Trr:
  • Closing resistance Rds(on): 100 mOhm
  • Montagetype: Through Hole

STP16NF06FP MOSFET N-ch 60V 11A TO-220FP

STMicroelectronics
STP16NF06FP /ond.k2 29062017
-
kg
    Levertijd:voorraad artikel 1-2 werkdagen
Bestel
  • Type: Power MOSFET
  • Polariteit transistor: N-Channel
  • Behuizing: TO-220-FP-3
  • Vds doorslagspanning : 60 V 
  • Vgs doorslagspanning : 20 V
  • Vdg doorslagspanning: -- V 
  • ID continue afvoerstroom: 11 A
  • Ig Gate stroom:  nA 
  • Pd vermogenverlies: 25W 
  • Bedrijfs temperatuurbereik: -55 to +175°C
  • Versterking Bandbreedte Product fT: -
  • Recovery time Trr:  ns
  • Closing resistance Rds(on): 100 mOhm
  • Montagetype: Through Hole

STP22NE10L MOSFET N-ch 100V 22A TO-220

STMicroelectronics
STP22NE10L /ond.k2 **V1 28062017
kg
    Levertijd:voorraad artikel 1-2 werkdagen
Bestel
uitlopend nog 1 stuks op voorraad
  • Type: Power MOSFET
  • Polariteit transistor: N-Channel
  • Behuizing: TO-220-3
  • Vds doorslagspanning : 100 V 
  • Vgs doorslagspanning : 20 V
  • Vdg doorslagspanning: -- V 
  • ID continue afvoerstroom: 22 A
  • Ig Gate stroom:  nA 
  • Pd vermogenverlies: 90W 
  • Bedrijfs temperatuurbereik: -65 to +175°C
  • Versterking Bandbreedte Product fT: -
  • Recovery time Trr:  ns
  • Closing resistance Rds(on): 85 mOhm
  • Montagetype: Through Hole

STP36NF06 MOSFET N-ch 60V 30A TO-220

Texas Instruments
STP36NF06 | /ond.k2 | 08032019
kg
    Levertijd:voorraad artikel 1-2 werkdagen
Bestel
  • Type: Power MOSFET
  • Polariteit transistor: N-Channel
  • Behuizing: TO-220
  • Vds doorslagspanning : 60 V 
  • Vgs doorslagspanning :10 V
  • Vdg doorslagspanning: -- V 
  • ID continue afvoerstroom: 30 A
  • Ig Gate stroom:  nA 
  • Pd vermogenverlies: 70W
  • Bedrijfs temperatuurbereik: -55 to +175°C  
  • Versterking Bandbreedte Product fT: -
  • Recovery time Trr:
  • Closing resistance Rds(on): 
  • Montagetype: Through Hole

STP40NF10L MOSFET N-ch 100V 40A TO-220

STMicroelectronics
STP40NF10L /ond.k2 30062017
kg
    Levertijd:voorraad artikel 1-2 werkdagen
Bestel

 

  • Type: Power MOSFET
  • Polariteit transistor: N-Channel
  • Behuizing: TO-220-3
  • Vds doorslagspanning : 100 V 
  • Vgs doorslagspanning : 17 V
  • Vdg doorslagspanning: -- V 
  • ID continue afvoerstroom: 40 A
  • Ig Gate stroom:  nA 
  • Pd vermogenverlies: 150W 
  • Bedrijfs temperatuurbereik: -65 to +175°C
  • Versterking Bandbreedte Product fT: -
  • Recovery time Trr:  ns
  • Closing resistance Rds(on): 33 mOhm
  • Montagetype: Through Hole

STP60NF06 MOSFET N-ch 60V 60A TO-220

STMicroelectronics
STP60NF06 /ond.k2 03012017
-
kg
    Levertijd:voorraad artikel 1-2 werkdagen
Bestel
  • Type: Power MOSFET
  • Polariteit transistor: N-Channel
  • Behuizing: TO-220
  • Vds doorslagspanning : 60 V 
  • Vgs doorslagspanning :20 V
  • Vdg doorslagspanning: -- V 
  • ID continue afvoerstroom: 60 A
  • Ig Gate stroom: 100 nA 
  • Pd vermogenverlies: 110W 
  • Bedrijfs temperatuurbereik: -55 to +175°C
  • Versterking Bandbreedte Product fT: -
  • Recovery time Trr: 70 ns
  • Closing resistance Rds(on): 0.016 Ohm
  • Montagetype: Through Hole