0
0
Home
>
Componenten | Elektronica
>
Componenten
>
Actieve | Componenten
>
Transistoren FET Triac Thyristor Diac IGBT
>
FET's
>
IRFP... | FET's
IRFP... | FET's
IRFP... | FET's
IRFP044NPbF MOSFET N-ch 55V 49A TO-247
IR
IRFP044 21092016
-
kg
Levertijd:
voorraad artikel 1-2 werkdagen
Bestel
Type: Power MOSFET
Polariteit transistor: N-Channel
Behuizing: TO-247
Vds doorslagspanning : 55 V
Vgs doorslagspanning :20 V
Vdg doorslagspanning: -- V
ID continue afvoerstroom: 49 A
Ig Gate stroom: 100 nA
Pd vermogenverlies: 100W
Bedrijfs temperatuurbereik: -55 to +175
°C
Versterking Bandbreedte Product fT
: -
Recovery time Trr: 110 ns
Closing resistance Rds(on): 20 mOhm
Montagetype
:
Through Hole
IRFP054 MOSFET N-ch 55V 72A TO-247
Infineon Technologies
IRFP054NPBF /ond.K2 17032017
-
kg
Levertijd:
voorraad artikel 1-2 werkdagen
Bestel
Type: Power MOSFET
Polariteit transistor: N-Channel
Behuizing: TO-247-3
Vds doorslagspanning : 55 V
Vgs doorslagspanning : 20 V
Vdg doorslagspanning: -- V
ID continue afvoerstroom: 72 A
Ig Gate stroom:
Pd vermogenverlies: 170W
Bedrijfs temperatuurbereik: -55 to +150
°C
Versterking Bandbreedte Product fT
: -
Recovery time Trr: 120 ns
Closing resistance Rds(on): 0.12 Ohm
Montagetype
:
Through Hole
IRFP064 MOSFET N-ch 55V 98A TO-247
Infineon
IRFP064NPBF | 10032017
-
kg
Levertijd:
voorraad artikel 1-2 werkdagen
Bestel
Type: Power MOSFET
Polariteit transistor: N-Channel
Behuizing: TO-247-3
Vds doorslagspanning : 55 V
Vgs doorslagspanning : 20 V
Vdg doorslagspanning: -- V
ID continue afvoerstroom: 98 A
Ig Gate stroom: --
Pd vermogenverlies: 150W
Bedrijfs temperatuurbereik: -55 to +175
°C
Versterking Bandbreedte Product fT
: -
Recovery time Trr: ns
Closing resistance Rds(on): 0.008 Ohm
Montagetype
:
Through Hole
IRFP140A MOSFET N-ch 100V 31A TO-3PN
Fairchild Semiconductor
IRFP140A | ***V4 | 02032017
UITLOPEND NOG 4 STUKS OP VOORRAAD
kg
Levertijd:
voorraad artikel 1-2 werkdagen
Bestel
Type: Power MOSFET
Polariteit transistor: N-Channel
Behuizing: TO-3PN-3
Vds doorslagspanning : 100 V
Vgs doorslagspanning : V
Vdg doorslagspanning: -- V
ID continue afvoerstroom: 31 A
Ig Gate stroom: --
Pd vermogenverlies: 131W
Bedrijfs temperatuurbereik: -55 to +175
°C
Versterking Bandbreedte Product fT
: -
Recovery time Trr: 132 ns
Closing resistance Rds(on): 0.052 Ohm
Montagetype
:
Through Hole
IRFP150 MOSFET N-ch 100V 39A TO-247
Infineon
IRFP150NPBF 10032017
-
kg
Levertijd:
voorraad artikel 1-2 werkdagen
Bestel
Type: Power MOSFET
Polariteit transistor: N-Channel
Behuizing: TO-247-3
Vds doorslagspanning : 100 V
Vgs doorslagspanning : 20 V
Vdg doorslagspanning: -- V
ID continue afvoerstroom: 39 A
Ig Gate stroom: --
Pd vermogenverlies: 140W
Bedrijfs temperatuurbereik: -55 to +175
°C
Versterking Bandbreedte Product fT
: -
Recovery time Trr: ns
Closing resistance Rds(on): 0.036 Ohm
Montagetype
:
Through Hole
IRFP240PBF MOSFET N-ch 200V 20A TO-247
Vishay
IRFP240PBF | 02032017
kg
Levertijd:
voorraad artikel 1-2 werkdagen
Bestel
Type: Power MOSFET
Polariteit transistor: N-Channel
Behuizing: TO-247AC
Vds doorslagspanning : 200 V
Vgs doorslagspanning :20 V
Vdg doorslagspanning: -- V
ID continue afvoerstroom: 20 A
Ig Gate stroom: --
Pd vermogenverlies: 150W
Bedrijfs temperatuurbereik: -55 to +175
°C
Versterking Bandbreedte Product fT
: -
Recovery time Trr: 610 ns
Closing resistance Rds(on): 0.18 Ohm
Montagetype
:
Through Hole
IRFP250 MOSFET N-ch 200V 30A TO-247
Infineon
IRFP250NPBF | ond.K2 | 10032017
-
kg
Levertijd:
voorraad artikel 1-2 werkdagen
Bestel
Type: Power MOSFET
Polariteit transistor: N-Channel
Behuizing: TO-247-3
Vds doorslagspanning : 200 V
Vgs doorslagspanning : 20 V
Vdg doorslagspanning: -- V
ID continue afvoerstroom: 30 A
Ig Gate stroom: --
Pd vermogenverlies: 214W
Bedrijfs temperatuurbereik: -55 to +175
°C
Versterking Bandbreedte Product fT
: -
Recovery time Trr: ns
Closing resistance Rds(on): 0.075 Ohm
Montagetype
:
Through Hole
IRFP420 MOSFET N-ch 200V 20A TO-247
Vishay
IRFP420 /ond.K2 17032017
-
kg
Levertijd:
voorraad artikel 1-2 werkdagen
Bestel
Type: Power MOSFET
Polariteit transistor: N-Channel
Behuizing: TO-247-3
Vds doorslagspanning : 500 V
Vgs doorslagspanning : 20 V
Vdg doorslagspanning: -- V
ID continue afvoerstroom: 20 A
Ig Gate stroom: 100nA
Pd vermogenverlies: 150W
Bedrijfs temperatuurbereik: -55 to +150
°C
Versterking Bandbreedte Product fT
: -
Recovery time Trr: 610 ns
Closing resistance Rds(on): 0.18Ohm
Montagetype
:
Through Hole
IRFP450 MOSFET N-ch 500V 16A TO-247
Vishay
IRFP450PBF /ond.K2 10032017
-
kg
Levertijd:
voorraad artikel 1-2 werkdagen
Bestel
Type: Power MOSFET
Polariteit transistor: N-Channel
Behuizing: TO-247-3
Vds doorslagspanning : 500 V
Vgs doorslagspanning : 20 V
Vdg doorslagspanning: -- V
ID continue afvoerstroom: 16 A
Ig Gate stroom: --
Pd vermogenverlies: 190W
Bedrijfs temperatuurbereik: -55 to +150
°C
Versterking Bandbreedte Product fT
: -
Recovery time Trr: 810 ns
Closing resistance Rds(on): 0.4Ohm
Montagetype
:
Through Hole
IRFP460 MOSFET N-ch 500V 20A TO-247
Vishay
IRFP460PBF /ond.K2 10032017
kg
Levertijd:
voorraad artikel 1-2 werkdagen
Bestel
Type: Power MOSFET
Polariteit transistor: N-Channel
Behuizing: TO-247-3
Vds doorslagspanning : 500 V
Vgs doorslagspanning : 30 V
Vdg doorslagspanning: -- V
ID continue afvoerstroom: 20 A
Ig Gate stroom: --
Pd vermogenverlies: 280W
Bedrijfs temperatuurbereik: -55 to +150
°C
Versterking Bandbreedte Product fT
: -
Recovery time Trr: 860 ns
Closing resistance Rds(on): 0.27 Ohm
Montagetype
:
Through Hole
IRFP9140N MOSFET P-ch 100V 21A TO-247
Infineon
IRFP9140N | 02032017
kg
Levertijd:
voorraad artikel 1-2 werkdagen
Bestel
Type: Power MOSFET
Polariteit transistor: P-Channel
Behuizing: TO-247AC
Vds doorslagspanning : 100 V
Vgs doorslagspanning :20 V
Vdg doorslagspanning: -- V
ID continue afvoerstroom: 21 A
Ig Gate stroom: --
Pd vermogenverlies: 120W
Bedrijfs temperatuurbereik: -55 to +175
°C
Versterking Bandbreedte Product fT
: -
Recovery time Trr: 220nS
Closing resistance Rds(on): 0.117 Ohm
Montagetype
:
Through Hole
IRFP9240 MOSFET P-ch 200V 12A TO-247
Vishay
IRFP9240PBF 10032017
-
kg
Levertijd:
voorraad artikel 1-2 werkdagen
Bestel
Type: Power MOSFET
Polariteit transistor: P-Channel
Behuizing: TO-247-3
Vds doorslagspanning : 200 V
Vgs doorslagspanning : 20 V
Vdg doorslagspanning: -- V
ID continue afvoerstroom: 12 A
Ig Gate stroom: --
Pd vermogenverlies: 150W
Bedrijfs temperatuurbereik: -55 to +150
°C
Versterking Bandbreedte Product fT
: -
Recovery time Trr: 300 ns
Closing resistance Rds(on): 0.50 Ohm
Montagetype
:
Through Hole
!
Hobbemastraat 18
5613 HL Eindhoven
tel +31(0)40 2459163
info@brigatti.nl
maandag 9:00 - 17:30 uur
dinsdag 9:00 - 17:30 uur
woensdag 9:00 - 17:30 uur
donderdag 9:00 - 17:30 uur
vrijdag 9:00 - 17:30 uur
zaterdag gesloten
contact & info
verzenden en voorwaarden
privacy
routebeschrijving
leveringsvoorwaarden
postadres:
Hobbemastraat 18
5613 HL Eindhoven
bank & KvK nummer:
NL39 INGB 0672909561
17085907
update: 28 maart 2024
Brigatti Electronics Copyright © 1994-2024
Mobiele weergave
Webwinkel gemaakt met ShopFactory webwinkel software.
0
Nederlands (Dutch)