Menu
Zoeken
0
0
Home
>
Componenten - elektronica
>
Componenten
>
Componenten actief
>
Transistoren FET Triac Thyristor Diac IGBT
>
FET's
>
IPB... | FET's
IPB055N03L MOSFET N-ch 30V 50A TO-263-3
Infineon Technologies
IPB055N03L ***V1 | ond.K2 | 27082018
Levertijd:
1-2 werkdagen
Bestel
UITLOPEND NOG 1 STUKS OP VOORRAAD
Type: Power MOSFET
Polariteit transistor: N-Channel
Behuizing: TO-263-3
Vds doorslagspanning : 30 V
Vgs doorslagspanning :20 V
Vdg doorslagspanning: -- V
ID continue afvoerstroom: 50 A
Ig Gate stroom: nA
Pd vermogenverlies: 68W
Bedrijfs temperatuurbereik: -55 to +150°C
Versterking Bandbreedte Product fT
: -
Recovery time Trr: ns
Closing resistance Rds(on): 5.5 mOhm
Montagetype
:
SMD/SMT
!
contactgegevens:
Hobbemastraat 18
5613 HL Eindhoven
tel +31(0)40 2459163
info@brigatti.nl
openingstijden:
maandag 9:30 - 18:00 uur
dinsdag 9:30 - 18:00 uur
woensdag 9:30 - 18:00 uur
donderdag 9:30 - 18:00 uur
vrijdag 9:30 - 18:00 uur
zaterdag 9:30 - 16:00 uur
klantenservice:
contact & info
verzenden en voorwaarden
privacy
routebeschrijving
leveringsvoorwaarden
postadres:
postbus 6189
5600 HD Eindhoven
bank & KvK nummer:
NL39 INGB 0672909561
17085907
update: 18 februari 2019
Brigatti Electronics Copyright © 1994-2019
Mobiele weergave