MGF... | FET's

MGF1302 GaAs FET N-ch 6V 0.1A

Mitsubishi
MGF1302 ***V1 | ond.K2 | 30082018
    Levertijd:1-2 werkdagen
Bestel
uitlopend nog 1 stuks op voorraad
  • Type: Low Noise GaAs FET 4GHz
  • Polariteit transistor: N-Channel
  • Behuizing: 
  • Vds doorslagspanning : 3 V 
  • Vgs doorslagspanning : 6 V
  • Vdg doorslagspanning: -- V 
  • ID continue afvoerstroom: 100 mA
  • Ig Gate stroom:  10 µA 
  • Pd vermogenverlies: 360mW 
  • Bedrijfs temperatuurbereik: -55 to +175°C
  • Versterking Bandbreedte Product fT: -
  • Recovery time Trr:  ns
  • Closing resistance Rds(on):   Ohm
  • Montagetype: Through Hole