MJ... | Transistoren

MJ1001 DarlingtonTransistor NPN 80V 10A 90W TO-3

Motorola
MJ1001 ***V4 | 21082018
    Levertijd:1-2 werkdagen
Bestel
UITLOPEND NOG 4 STUKS OP VOORRAAD
  • Omschrijving: Power DarlingtonTransistor
  • Polariteit transistor: NPN
  • Behuizing: TO-3
  • Collector-basisspanning Vcbo: 80V 
  • Collector-emitterspanning Vceo:80V
  • Emitter-basisspanning Vebo: 5V
  • Collector-emitterverzadigingsspanning Vce(sat): 2.0V
  • Maximale DC collectorstroom Ic: 10A
  • Bedrijftemperatuurbereik: -55 to +200°C
  • Versterking Bandbreedte Product fT:  MHz
  • Maximaal vermogensverlies: 90W
  • Gelijkstroom Collector/Basisversterking hfe Min - Max: 
  • Montagetype: Through Hole

MJ2501 DarlingtonTransistor PNP 80V 10A 150W TO-3

Inchange Semiconductor
MJ2501 | 21082018
    Levertijd:1-2 werkdagen
Bestel
  • Omschrijving: Power DarlingtonTransistor
  • Polariteit transistor: PNP
  • Behuizing: TO-3
  • Collector-basisspanning Vcbo: 80V 
  • Collector-emitterspanning Vceo:80V
  • Emitter-basisspanning Vebo: 5V
  • Collector-emitterverzadigingsspanning Vce(sat): 2.0V
  • Maximale DC collectorstroom Ic: 10A
  • Bedrijftemperatuurbereik: -55 to +200°C
  • Versterking Bandbreedte Product fT:  MHz
  • Maximaal vermogensverlies: 150W
  • Gelijkstroom Collector/Basisversterking hfe Min - Max: 
  • Montagetype: Through Hole

MJ2955 Transistor PNP 70V 15A 115W TO-3

STMicroelectronics
MJ2955 31052018
---
    Levertijd:1-2 werkdagen
Bestel
  • Omschrijving: Power Transistors, Silicon
  • Polariteit transistor: PNP
  • Behuizing: TO-3
  • Collector-basisspanning Vcbo: 100V 
  • Collector-emitterspanning Vceo:70V
  • Emitter-basisspanning Vebo: 7V
  • Collector-emitterverzadigingsspanning Vce(sat): 1.0V
  • Maximale DC collectorstroom Ic: 15A
  • Bedrijftemperatuurbereik: -65 to +200°C
  • Versterking Bandbreedte Product fT: 3.0 MHz
  • Maximaal vermogensverlies: 115W
  • Gelijkstroom Collector/Basisversterking hfe Min - Max: 20 - 70 
  • Montagetype: Through Hole

MJ3001 Transistor NPN 80V 10A 150W TO-3

STMicroelectronics
MJ3001 31052018
---
    Levertijd:1-2 werkdagen
Bestel
  • Omschrijving: Power Transistors, Silicon
  • Polariteit transistor: NPN
  • Behuizing: TO-3
  • Collector-basisspanning Vcbo: 80V 
  • Collector-emitterspanning Vceo:80V
  • Emitter-basisspanning Vebo: 5V
  • Collector-emitterverzadigingsspanning Vce(sat): V
  • Maximale DC collectorstroom Ic:10A
  • Bedrijftemperatuurbereik: -65 to +200°C
  • Versterking Bandbreedte Product fT:  MHz
  • Maximaal vermogensverlies: 150W
  • Gelijkstroom Collector/Basisversterking hfe Min - Max: 20 - 70 
  • Montagetype: Through Hole

MJ4032 DarlingtonTransistor PNP 100V 16A 150W TO-3

STMicroelectronics
MJ4032 | 21082018
    Levertijd:1-2 werkdagen
Bestel
  • Omschrijving: Power DarlingtonTransistor
  • Polariteit transistor: PNP
  • Behuizing: TO-3
  • Collector-basisspanning Vcbo: 100V 
  • Collector-emitterspanning Vceo:100V
  • Emitter-basisspanning Vebo: 5V
  • Collector-emitterverzadigingsspanning Vce(sat): V
  • Maximale DC collectorstroom Ic: 16A
  • Bedrijftemperatuurbereik: -55 to +150°C
  • Versterking Bandbreedte Product fT:  MHz
  • Maximaal vermogensverlies: 150W
  • Gelijkstroom Collector/Basisversterking hfe Min - Max: 
  • Montagetype: Through Hole

MJ4502 Transistor PNP 100V 30A 200W TO-3

Motorola
MJ4502 | 21082018
    Levertijd:1-2 werkdagen
Bestel
  • Omschrijving: Power Transistor
  • Polariteit transistor: PNP
  • Behuizing: TO-3
  • Collector-basisspanning Vcbo: 100V 
  • Collector-emitterspanning Vceo:90V
  • Emitter-basisspanning Vebo: 4V
  • Collector-emitterverzadigingsspanning Vce(sat): V
  • Maximale DC collectorstroom Ic: 30A
  • Bedrijftemperatuurbereik: -55 to +150°C
  • Versterking Bandbreedte Product fT:  2 MHz
  • Maximaal vermogensverlies: 200W
  • Gelijkstroom Collector/Basisversterking hfe Min - Max: 
  • Montagetype: Through Hole

MJ11015 DarlingtonTransistor PNP 120V 30A 200W TO-3

ON Semiconductor
MJ11015 ***V7 | ond.K2 | 21082018
    Levertijd:1-2 werkdagen
Bestel
UITLOPEND NOG 7 STUKS OP VOORRAAD
  • Omschrijving: Power DarlingtonTransistor
  • Polariteit transistor: PNP
  • Behuizing: TO-3
  • Collector-basisspanning Vcbo: 120V 
  • Collector-emitterspanning Vceo:120V
  • Emitter-basisspanning Vebo: 5V
  • Collector-emitterverzadigingsspanning Vce(sat):  V
  • Maximale DC collectorstroom Ic: 30A
  • Bedrijftemperatuurbereik: -55 to +150°C
  • Versterking Bandbreedte Product fT:  MHz
  • Maximaal vermogensverlies: 200W
  • Gelijkstroom Collector/Basisversterking hfe Min - Max: 
  • Montagetype: Through Hole

MJ11015G Darlington Transistor PNP 120V 30A 200W TO-3

ON Semiconductor
MJ11015G | 02082016
---
    Levertijd:1-2 werkdagen
Bestel

 

  • Omschrijving: Darlington Transistors,
  • Polariteit transistor: PNP
  • Behuizing: TO-3
  • Vcbo Collector-basisspanning : 120V 
  • Vceo Collector-emitterspanning :120V
  • Vebo Emitter-basisspanning : 5V
  • Vce(sat) Collector-emitterverzadigingsspanning : 3V
  • IC Maximale DC collectorstroom: 30A
  • Bedrijftemperatuurbereik: -55 to +200°C
  • fT Versterking Bandbreedte Product : 4 MHz
  • Pd Maximaal vermogensverlies: 200W
  • Gelijkstroom Collector/Basisversterking hfe Min... Max: ...
  • Montagetype: Through Hole

MJ11016 DarlingtonTransistor NPN 120V 30A 200W TO-3

ON Semiconductor
MJ11016 | ond.K2 | 21082018
    Levertijd:1-2 werkdagen
Bestel
  • Omschrijving: Power DarlingtonTransistor
  • Polariteit transistor: NPN
  • Behuizing: TO-3
  • Collector-basisspanning Vcbo: 120V 
  • Collector-emitterspanning Vceo:120V
  • Emitter-basisspanning Vebo: 5V
  • Collector-emitterverzadigingsspanning Vce(sat):  V
  • Maximale DC collectorstroom Ic: 30A
  • Bedrijftemperatuurbereik: -55 to +150°C
  • Versterking Bandbreedte Product fT:  MHz
  • Maximaal vermogensverlies: 200W
  • Gelijkstroom Collector/Basisversterking hfe Min - Max: 
  • Montagetype: Through Hole

MJ11016G Darlington Transistor NPN 120V 30A 200W TO-3

ON Semiconductor
MJ11016G 02082016
---
    Levertijd:1-2 werkdagen
Bestel

 

  • Omschrijving: Darlington Transistors,
  • Polariteit transistor: NPN
  • Behuizing: TO-3
  • Vcbo Collector-basisspanning : 120V 
  • Vceo Collector-emitterspanning :120V
  • Vebo Emitter-basisspanning : 5V
  • Vce(sat) Collector-emitterverzadigingsspanning : 3V
  • IC Maximale DC collectorstroom: 30A
  • Bedrijftemperatuurbereik: -55 to +200°C
  • fT Versterking Bandbreedte Product : 4 MHz
  • Pd Maximaal vermogensverlies: 200W
  • Gelijkstroom Collector/Basisversterking hfe Min... Max: ...
  • Montagetype: Through Hole

MJ15003 Transistor NPN 140V 20A 250W TO-3

ON Semiconductor
MJ15003 | 21082018
    Levertijd:1-2 werkdagen
Bestel
  • Omschrijving:  Transistor
  • Polariteit transistor: NPN
  • Behuizing: TO-3
  • Collector-basisspanning Vcbo: 140V 
  • Collector-emitterspanning Vceo: 140V
  • Emitter-basisspanning Vebo: 5V
  • Collector-emitterverzadigingsspanning Vce(sat): V
  • Maximale DC collectorstroom Ic: 20A
  • Bedrijftemperatuurbereik: -55 to +150°C
  • Versterking Bandbreedte Product fT:  2 MHz
  • Maximaal vermogensverlies: 250W
  • Gelijkstroom Collector/Basisversterking hfe Min - Max: 
  • Montagetype: Through Hole

MJ15004 Transistor PNP 140V 20A 250W TO-3

ON Semiconductor
MJ15004G | 21082018
    Levertijd:1-2 werkdagen
Bestel
  • Omschrijving:  Transistor
  • Polariteit transistor: PNP
  • Behuizing: TO-3
  • Collector-basisspanning Vcbo: 140V 
  • Collector-emitterspanning Vceo: 140V
  • Emitter-basisspanning Vebo: 5V
  • Collector-emitterverzadigingsspanning Vce(sat): V
  • Maximale DC collectorstroom Ic: 20A
  • Bedrijftemperatuurbereik: -55 to +150°C
  • Versterking Bandbreedte Product fT:  2 MHz
  • Maximaal vermogensverlies: 250W
  • Gelijkstroom Collector/Basisversterking hfe Min - Max: 
  • Montagetype: Through Hole

MJ15015G Transistor NPN 200V 15A 180W TO-3

ON Semiconductor
MJ15015G | 21082018
    Levertijd:1-2 werkdagen
Bestel
  • Omschrijving:  Transistor
  • Polariteit transistor: NPN
  • Behuizing: TO-3
  • Collector-basisspanning Vcbo: 200V 
  • Collector-emitterspanning Vceo: 120V
  • Emitter-basisspanning Vebo: 7V
  • Collector-emitterverzadigingsspanning Vce(sat): V
  • Maximale DC collectorstroom Ic: 15A
  • Bedrijftemperatuurbereik: -55 to +150°C
  • Versterking Bandbreedte Product fT:  6 MHz
  • Maximaal vermogensverlies: 180W
  • Gelijkstroom Collector/Basisversterking hfe Min - Max: 
  • Montagetype: Through Hole

MJ15016G Transistor PNP 200V 15A 180W TO-3

ON Semiconductor
MJ15016G | 21082018
    Levertijd:1-2 werkdagen
Bestel
  • Omschrijving:  Transistor
  • Polariteit transistor: PNP
  • Behuizing: TO-3
  • Collector-basisspanning Vcbo: 200V 
  • Collector-emitterspanning Vceo: 120V
  • Emitter-basisspanning Vebo: 7V
  • Collector-emitterverzadigingsspanning Vce(sat): V
  • Maximale DC collectorstroom Ic: 15A
  • Bedrijftemperatuurbereik: -55 to +150°C
  • Versterking Bandbreedte Product fT:  6 MHz
  • Maximaal vermogensverlies: 180W
  • Gelijkstroom Collector/Basisversterking hfe Min - Max: 
  • Montagetype: Through Hole

MJ15022 Transistor NPN 350V 16A 250W TO-3

ON Semiconductor
MJ15022 | ond.K2 | 21082018
    Levertijd:1-2 werkdagen
Bestel
  • Omschrijving:  Transistor
  • Polariteit transistor: NPN
  • Behuizing: TO-3
  • Collector-basisspanning Vcbo: 350V 
  • Collector-emitterspanning Vceo: 200V
  • Emitter-basisspanning Vebo: 5V
  • Collector-emitterverzadigingsspanning Vce(sat): 1.4V
  • Maximale DC collectorstroom Ic: 16A
  • Bedrijftemperatuurbereik: -65 to +150°C
  • Versterking Bandbreedte Product fT:  4 MHz
  • Maximaal vermogensverlies: 250W
  • Gelijkstroom Collector/Basisversterking hfe Min - Max: 
  • Montagetype: Through Hole

MJ15023 Transistor PNP 350V 16A 250W TO-3

Inchange Semiconductor
MJ15023 | ond.K2 | 21082018
    Levertijd:1-2 werkdagen
Bestel
  • Omschrijving:  Transistor
  • Polariteit transistor: PNP
  • Behuizing: TO-3
  • Collector-basisspanning Vcbo: 350V 
  • Collector-emitterspanning Vceo: 200V
  • Emitter-basisspanning Vebo: 5V
  • Collector-emitterverzadigingsspanning Vce(sat): 1.4V
  • Maximale DC collectorstroom Ic: 16A
  • Bedrijftemperatuurbereik: -65 to +150°C
  • Versterking Bandbreedte Product fT:  4 MHz
  • Maximaal vermogensverlies: 250W
  • Gelijkstroom Collector/Basisversterking hfe Min - Max: 
  • Montagetype: Through Hole

MJ15024G Transistor NPN 400V 16A 250W TO-3

ON Semiconductor
MJ15024G | 10042018
---
    Levertijd:1-2 werkdagen
Bestel

 

  • Omschrijving: PowerTransistors,
  • Polariteit transistor: NPN
  • Behuizing: TO-3
  • Vcbo Collector-basisspanning : 400V 
  • Vceo Collector-emitterspanning :250V
  • Vebo Emitter-basisspanning : 5V
  • Vce(sat) Collector-emitterverzadigingsspanning : V
  • IC Maximale DC collectorstroom: 16A
  • Bedrijftemperatuurbereik: -55 to +200°C
  • fT Versterking Bandbreedte Product : 4 MHz
  • Pd Maximaal vermogensverlies: 250W
  • Gelijkstroom Collector/Basisversterking hfe Min... Max: ...
  • Montagetype: Through Hole

MJ15025G Transistor PNP 400V 16A 250W TO-3

ON Semiconductor
MJ15025G | 21082018
    Levertijd:1-2 werkdagen
Bestel
  • Omschrijving:  Transistor
  • Polariteit transistor: PNP
  • Behuizing: TO-3
  • Collector-basisspanning Vcbo: 400V 
  • Collector-emitterspanning Vceo: 250V
  • Emitter-basisspanning Vebo: 5V
  • Collector-emitterverzadigingsspanning Vce(sat): 1.4V
  • Maximale DC collectorstroom Ic: 16A
  • Bedrijftemperatuurbereik: -65 to +150°C
  • Versterking Bandbreedte Product fT:  4 MHz
  • Maximaal vermogensverlies: 250W
  • Gelijkstroom Collector/Basisversterking hfe Min - Max: 
  • Montagetype: Through Hole