Photo-transistoren -dioden

BP104 Photodiode 60V 215mW 950nm

Vishay
BP104 | 18012016
kg
    Levertijd:voorraad artikel 1-2 werkdagen
Bestel
  • Omschrijving: Phototransistor
  • Behuizing: TO-5
  • Golflengte piek: 950nm
  • Hoekgraden halve intensiteit: 65gr
  • If Voorwaartse stroom : 50 mA
  • Iro Donkerstroom : 2 nA 
  • Vr Sperspanning: 60V  
  • Tr stijgtijd : 100 nS
  • Tf Daaltijd : 100 nS
  • PD vermogenverlies: 215mW
  • Bedrijfstemparatuur bereik: -40°C tot + 100°C
  • Montagetype: Through Hole

BPW34 Photodiode 60V 215mW 900nm

Vishay
BPW34 |18012016
kg
    Levertijd:voorraad artikel 1-2 werkdagen
Bestel
  • Omschrijving: Phototransistor
  • Behuizing: 
  • Golflengte piek: 900nm
  • Hoekgraden halve intensiteit: 65gr
  • If Voorwaartse stroom : 70 mA
  • Iro Donkerstroom : 2 nA 
  • Vr Sperspanning: 60V  
  • Tr stijgtijd : 100 nS
  • Tf Daaltijd : 100 nS
  • PD vermogenverlies: 215mW
  • Bedrijfstemparatuur bereik: -40°C tot + 100°C
  • Montagetype: Through Hole

BPW40 Phototransistor 30V 780nm

Unbranded
BPW40 | 18012016
kg
    Levertijd:voorraad artikel 1-2 werkdagen
Bestel
  • Omschrijving: Phototransistor
  • Behuizing: T-1 3/4 water clear (LED 5mm)
  • Golflengte: 780nm
  • gezichtshoek: 20gr
  • I (on) Maximale doorlaatcollectorstroom : 100mA
  • Iceo Donkerstroom : 100nA 
  • Vceo Collector -emitterspanning max: 30V
  • Vce (sat) Collector-emitterverzadigingsspanning: 0.8V
  • Tr stijgtijd : 3 nS
  • Tf Daaltijd : 3 nS
  • PD vermogenverlies: 100mW
  • Bedrijfstemparatuur bereik: -40°C tot + 85°C
  • Montagetype: Through Hole

BPW41n Photodiode 60V 215mW 950nm

Vishay
BPW41n| 18012016
kg
    Levertijd:voorraad artikel 1-2 werkdagen
Bestel
  • Omschrijving: Phototransistor
  • Behuizing: 
  • Golflengte piek: 950nm
  • Hoekgraden halve intensiteit: 65gr
  • If Voorwaartse stroom : 45 µA
  • Iro Donkerstroom : 2 nA 
  • Vr Sperspanning: 60V  
  • Tr stijgtijd : 100 nS
  • Tf Daaltijd : 100 nS
  • PD vermogenverlies: 215mW
  • Bedrijfstemparatuur bereik: -40°C tot + 100°C
  • Montagetype: Through Hole

BPW85c Phototransistor 70V 850nm

Vishay
BPW85c | 18012016
kg
    Levertijd:voorraad artikel 1-2 werkdagen
Bestel
  • Omschrijving: Phototransistor
  • Behuizing: T-1  water clear (LED 3mm)
  • Golflengte: 850nm
  • gezichtshoek: 25gr
  • I (on) Maximale doorlaatcollectorstroom : 50mA
  • Iceo Donkerstroom : 200nA 
  • Vceo Collector -emitterspanning max: 70V
  • Vbr Emitter-collectorspanning: 5V 
  • Vce (sat) Collector-emitterverzadigingsspanning: 0.3V
  • Tr stijgtijd : 2.0 µS
  • Tf Daaltijd : 2.3 µS
  • PD vermogenverlies: 100mW
  • Bedrijfstemparatuur bereik: -40°C tot + 100°C
  • Montagetype: Through Hole

L7113P3C Phototransistor 30V 940nm

Kingbright
L-7113P3C | 18012016
kg
    Levertijd:voorraad artikel 1-2 werkdagen
Bestel
  • Omschrijving: Phototransistor
  • Behuizing: T-1 3/4 water clear (LED 5mm)
  • Golflengte: 940nm
  • Gezichtshoek: 20gr
  • I (on) Maximale doorlaatcollectorstroom : 0.5mA typ 2.5mA typ
  • Iceo Donkerstroom : 100nA 
  • Vceo Collector -emitterspanning max: 30V
  • Vbr Emitter-collectorspanning: 5V 
  • Vce (sat) Collector-emitterverzadigingsspanning: 0.8V
  • Tr stijgtijd : 15 µS
  • Tf Daaltijd : 15 µS
  • PD vermogenverlies: 100mW
  • Bedrijfstemparatuur bereik: -40°C tot + 85°C
  • Montagetype: Through Hole

SFH309 Phototransistor 35V 860nm T1

Osram Opto Semiconductors
SFH309 | 27022020
kg
    Levertijd:voorraad artikel 1-2 werkdagen
Bestel
  • Omschrijving: Phototransistor
  • Behuizing: T-1  water clear (LED 3mm)
  • Golflengte: 860nm
  • gezichtshoek: 24gr
  • I (on) Maximale doorlaatcollectorstroom : 15mA
  • Iceo Donkerstroom : 1nA 
  • Vceo Collector -emitterspanning max: 35V
  • Vbr Emitter-collectorspanning: V 
  • Vce (sat) Collector-emitterverzadigingsspanning: V
  • Tr stijgtijd : 7 µS
  • Tf Daaltijd : 7 µS
  • PD vermogenverlies: 165mW
  • Bedrijfstemparatuur bereik: -40°C tot + 100°C
  • Montagetype: Through Hole

VBP104S Photodiode 60V 215mW 940nm SMD

Vishay
VBP104S 18012016
kg
    Levertijd:voorraad artikel 1-2 werkdagen
Bestel
  • Omschrijving: Phototransistor
  • Behuizing: SMD/SMT
  • Golflengte piek: 940nm
  • Hoekgraden halve intensiteit: 65gr
  • If Voorwaartse stroom : 50 mA
  • Iro Donkerstroom : 2 nA 
  • Vr Sperspanning: 60V  
  • Tr stijgtijd : 100 nS
  • Tf Daaltijd : 100 nS
  • PD vermogenverlies: 215mW
  • Bedrijfstemparatuur bereik: -40°C tot + 100°C
  • Montagetype: Through Hole